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龙图腾网获悉曼彻斯特大学申请的专利抗蚀剂组合物获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115373220B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210945261.5，技术领域涉及：G03F7/004；该发明授权抗蚀剂组合物是由斯科特·刘易斯;理查德·温培尼;斯蒂芬·耶茨;安东尼奥·费尔南德兹设计研发完成，并于2016-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本抗蚀剂组合物在说明书摘要公布了：本申请涉及抗蚀剂组合物。本申请涉及抗蚀剂组合物，具体涉及能用于光刻术中、特别是用于集成电路和派生产品的制造中的光致抗蚀剂。本申请的抗蚀剂组合物包括具有显著量的空隙并因此具有较少散射中心的抗散射成分，使得在曝光期间更加限制辐射散射事件。这种抗散射效应能够通过减少与光刻技术相关的常见邻近效应而使得分辨率改善，从而允许制造更小、更高分辨率的微芯片。此外，某些实施方式包括直接与抗蚀剂组分相连的抗散射组分，这能够改善总体光刻化学，从而在分辨率和抗蚀剂敏感性方面均提供益处。

本发明授权抗蚀剂组合物在权利要求书中公布了：1.一种进行光刻的方法，所述方法包括： i将光致抗蚀剂涂层施加于基板； ii将所述光致抗蚀剂涂层部分暴露于辐射以提供曝光的光致抗蚀剂涂层； iii将所述曝光的光致抗蚀剂涂层显影以产生光致抗蚀剂图案层，所述光致抗蚀剂图案层包括：所述光致抗蚀剂涂层的不溶于显影剂的涂层部分，以及延伸穿过所述光致抗蚀剂图案层的凹槽阵列； iv可选地对所述光致抗蚀剂图案层下面的基板进行改性； v可选地去除所述光致抗蚀剂图案层以提供改性基板； vi可选地在所述改性基板上将步骤iv和或步骤i-v重复一次或多次，可选地用相同的光致抗蚀剂涂层或可替选的抗蚀剂涂层以及可选地在曝光期间使用可替选的辐射； 其中可选地在所述方法的步骤i之前进行步骤i至vi即预先步骤i-vi，可选地重复一次或多次，使用相同的光致抗蚀剂涂层或可替选的抗蚀剂涂层并在曝光期间使用电磁辐射或可替选的辐射； 其中所述光致抗蚀剂涂层包括光致抗蚀剂组合物，可选地所述光致抗蚀剂组合物是干燥和或固化的； 其中所述光致抗蚀剂组合物包括抗散射组分，其中所述抗散射组分包括主金属络合物，所述主金属络合物是不含硼和硅的多金属笼和或多金属环体系。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人曼彻斯特大学，其通讯地址为：英国曼彻斯特；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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