福建省晋华集成电路有限公司张钦福获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利一种半导体结构以及半导体结构制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115360135B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210910038.7，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权一种半导体结构以及半导体结构制备方法是由张钦福;袁晴霞;童宇诚;冯立伟设计研发完成，并于2021-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构以及半导体结构制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体结构以及半导体结构制备方法，该半导体结构可以包括：基底；浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构设置在所述基底中，所述浅沟槽隔离结构的至少部分上表面低于所述基底的上表面；第一栅极结构，所述第一栅极结构至少部分设置于所述浅沟槽隔离结构上，所述第一栅极结构包括第一介质层、第一导电层、以及覆盖所述第一介质层和所述第一导电层二者侧壁的侧壁绝缘层，所述第一导电层的顶部两端分别具有一个异形凸起；其中，所述第一导电层的两个所述异形凸起的顶点在所述基底的正投影之间的间距小于所述侧壁绝缘层的顶表面在所述基底的正投影之间的间距。
本发明授权一种半导体结构以及半导体结构制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底； 浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构设置在所述基底中，所述浅沟槽隔离结构的至少部分上表面低于所述基底的上表面； 第一栅极结构，所述第一栅极结构至少部分设置于所述浅沟槽隔离结构上，所述第一栅极结构包括第一介质层、第一导电层、以及覆盖所述第一介质层和所述第一导电层二者侧壁的侧壁绝缘层，所述第一导电层的顶部两端分别具有一个异形凸起； 其中，所述第一导电层的两个所述异形凸起的顶点在所述基底的正投影之间的间距小于所述侧壁绝缘层的顶表面在所述基底的正投影之间的间距。
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