中国科学院上海微系统与信息技术研究所贾欣获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种含有双极性压电结构的PMUT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332435B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210977055.2，技术领域涉及：H10N30/06；该发明授权一种含有双极性压电结构的PMUT器件及其制备方法是由贾欣;母志强;刘强;周虹阳;俞文杰设计研发完成，并于2022-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种含有双极性压电结构的PMUT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种含有双极性压电结构的PMUT器件的制备方法，包括1提供第一衬底，在衬底表面形成底电极层；2形成压电层，包括依次形成的第一极性压电层和第二极性压电层；3依次沉积第一钝化层和顶电极层，并图形化所述顶电极层；4形成第一通孔，沉积支撑层，5刻蚀支撑层，形成第一开口和第二开口；6提供第二衬底，并将结构翻转，使第二衬底与所述支撑层键合，第一开口形成空腔，去除第一衬底。本发明的制备方法采用两种电学连接方式，制备获得的PMUT器件中，其压电层为单层双极性膜，具有无过渡区的特点，可以最大化有效工作区域，另外，该制备工艺简单，开孔数量少，布线面积小，PMUT的阵列密度大幅提高。
本发明授权一种含有双极性压电结构的PMUT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种含有双极性压电结构的PMUT器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括： 1提供第一衬底，在所述第一衬底表面形成底电极层； 2在所述底电极层表面形成压电层，所述压电层包括依次形成于所述底电极层表面的第一极性压电层和第二极性压电层； 3于所述第二极性压电层表面依次沉积第一钝化层和顶电极层，并图形化所述顶电极层； 4刻蚀所述第一钝化层、所述第二极性压电层及所述第一极性压电层，形成暴露所述底电极层的第一通孔，于所述第一钝化层和所述顶电极层表面及所述第一通孔中沉积支撑层； 5刻蚀所述支撑层，形成暴露所述顶电极层的第一开口和暴露所述第一钝化层的第二开口； 6提供第二衬底，并将步骤5获得的结构翻转，使所述第二衬底与所述支撑层键合，所述第一开口形成空腔，去除所述第一衬底。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院上海微系统与信息技术研究所，其通讯地址为：200050 上海市长宁区长宁路865号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励