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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利基于铁电多栅硅基的杂质原子晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115312602B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211086977.0，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权基于铁电多栅硅基的杂质原子晶体管及其制备方法是由陈俊东;韩伟华;葛延栋;杨富华设计研发完成，并于2022-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于铁电多栅硅基的杂质原子晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种基于铁电多栅硅基的杂质原子晶体管及其制备方法。该杂质原子晶体管包括：硅衬底；氧化物绝缘层，设置于硅衬底上；源区硅电导台面、漏区硅电导台面、硅纳米线沟道，分别设置于氧化物绝缘层上表面，硅纳米线沟道的两端分别与源区硅电导台面和漏区硅电导台面连接；第一栅介质层，覆盖于硅纳米线沟道上；铁电栅介质层，覆盖于第一栅介质层上；多个势垒栅，覆盖于铁电栅介质层上，用于调制位于多个势垒栅下方势垒区域的高度；第二栅介质层，覆盖于铁电栅介质层和多个势垒栅上；多指控制栅，覆盖于第二栅介质层上，用于调制位于下方区域的硅纳米线沟道中杂质原子的位置、数量和能级；以及源电极，漏电极，多个势垒栅电极和控制栅电极。

本发明授权基于铁电多栅硅基的杂质原子晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于铁电多栅硅基的杂质原子晶体管，包括： 硅衬底10； 氧化物绝缘层11，设置于所述硅衬底10上； 源区硅电导台面12和漏区硅电导台面13，分别设置于所述氧化物绝缘层11的上表面的相对两侧； 硅纳米线沟道14，设置于所述氧化物绝缘层11上表面，两端分别与所述源区硅电导台面12和漏区硅电导台面13连接； 第一栅介质层15，覆盖于所述硅纳米线沟道14上； 铁电栅介质层16，覆盖于所述第一栅介质层15上； 多个势垒栅17，覆盖于所述铁电栅介质层16上，用于调制位于多个势垒栅17下方势垒区域的高度； 第二栅介质层18，覆盖于所述铁电栅介质层16和多个势垒栅17上； 多指控制栅19，覆盖于所述第二栅介质层18上，所述多指控制栅19的多个栅条与所述多个势垒栅17沿所述硅纳米线沟道14方向交替平行排布，所述多指控制栅19用于调制位于所述多指控制栅19下方区域的硅纳米线沟道14中杂质原子的位置、数量和能级；通过铁电栅介质层16施加脉冲电压，调节铁电栅介质层16中的极化强度与方向，通过多个势垒栅17施加脉冲电压调节位于多个势垒栅17下方的硅纳米线沟道14中参与输运的杂质原子间的耦合势垒高度；以及 设置于所述源区硅电导台面12上的源电极121，设置于所述漏区硅电导台面13上的漏电极131，分别设置于所述多个势垒栅17上的多个势垒栅电极171和设置于所述多指控制栅19上的控制栅电极191。

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