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龙图腾网获悉泰州中来光电科技有限公司申请的专利一种正面局域钝化接触电池的制备工艺及电池、组件和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274914B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110486522.7，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种正面局域钝化接触电池的制备工艺及电池、组件和系统是由赵影文;沈承焕;季根华;陈嘉;包杰;陈程;杜哲仁;陆俊宇;林建伟设计研发完成，并于2021-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种正面局域钝化接触电池的制备工艺及电池、组件和系统在说明书摘要公布了：本发明涉及一种正面局域钝化接触电池的制备工艺及电池；该正面局域钝化接触电池的制备工艺包括：在硅衬底的正面制备正面电介质层；采用掺杂硼的硅浆在正面电介质层的表面进行选择性掺杂处理；对硅衬底的正面进行硼掺杂处理，以制得间隔布置于硅衬底正面的p+发射极、位于相邻两p+发射极之间且局域布置于硅衬底正面的正面电介质层及叠设于正面电介质层表面的重掺杂p+多晶硅层；对硅衬底的背面进行刻蚀清洗；再在硅衬底背面依次制备背面电介质层和n+多晶硅层；钝化处理以制备背面、正面钝化层；金属化处理以制得背面、正面金属电极。该制备工艺进一步简化了电池正面的局域钝化接触结构的制备流程，生产成本低、生产效率高，适合大规模量产。

本发明授权一种正面局域钝化接触电池的制备工艺及电池、组件和系统在权利要求书中公布了：1.一种正面局域钝化接触电池的制备工艺，其特征在于，包括如下制备步骤： 步骤1，在硅衬底的正面制备正面电介质层； 步骤2，再通过丝网印刷法或喷墨法将掺杂硼的硅浆在所述正面电介质层表面进行选择性掺杂处理； 步骤3，选择性掺杂处理后，通过高温硼扩散法对所述硅衬底的正面进行硼掺杂处理，以制得间隔布置于硅衬底正面的p+发射极、位于相邻两p+发射极之间且局域布置于硅衬底正面的正面电介质层、及叠设于正面电介质层表面的重掺杂p+多晶硅层； 步骤4，然后，对所述硅衬底的背面进行刻蚀清洗，以去除硅衬底背面绕镀的p+层，得到表面干净的硅衬底背面； 步骤5，在清洗后的所述硅衬底的背面依次制备背面电介质层和n+多晶硅层； 步骤6，然后，经钝化处理，以在所述n+多晶硅层的表面形成背面钝化层，并在所述重掺杂p+多晶硅层及p+发射极的表面形成正面钝化层； 步骤7，再经金属化处理，以制备一端接触所述n+多晶硅层且另一端延伸至背面钝化层外的背面金属电极，并制备一端接触所述重掺杂p+多晶硅层且另一端延伸至正面钝化层外的正面金属电极，即得正面局域钝化接触的电池； 步骤3中，所述高温硼扩散法的扩散温度为700-1100℃；在高温硼扩散的过程中，掺杂硼的硅浆晶化形成所述重掺杂p+多晶硅层，且硅衬底正面的其它高温硼扩散区域形成所述p+发射极，同时在所述p+发射极的表面形成硼硅玻璃层； 所述重掺杂p+多晶硅层和p+发射极的掺杂极性相同，且所述重掺杂p+多晶硅层的掺杂浓度大于p+发射极的掺杂浓度。

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