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龙图腾网获悉广州集成电路技术研究院有限公司申请的专利半导体器件的制作方法和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115249649B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110461644.0，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体器件的制作方法和半导体器件是由苏廷锜;张峰溢;蔡尚元设计研发完成，并于2021-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件的制作方法和半导体器件在说明书摘要公布了：本申请公开一种半导体器件的制作方法和半导体器件，所述制作方法包括：提供一衬底，所述衬底上设置有源结构和栅极结构，所述栅极结构包括用于被移除的牺牲栅极结构和移除后剩余的预留栅极结构；在预定区域处，移除所述牺牲栅极结构以形成对应的栅极开口；在形成所述栅极开口之后，在所述衬底上方以及所述栅极开口内沉积抵接所述预留栅极结构的侧壁的阻挡层和或层间介质层；以及在形成有所述阻挡层和或所述层间介质层的栅极开口中形成栅极间隔件。

本发明授权半导体器件的制作方法和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括： 提供一衬底，所述衬底上设置彼此间隔的多个有源结构和在所述有源结构延伸方向上彼此相互间隔的多个栅极结构，其中所述有源结构延伸方向与所述栅极结构延伸方向相互垂直，所述栅极结构包括用于被移除的牺牲栅极结构和移除后剩余的预留栅极结构； 在预定区域处，移除所述牺牲栅极结构以形成对应的栅极开口，包括： 在多个所述栅极结构和所述衬底的上方沉积光刻层以使所述光刻层覆盖所述衬底、所述有源结构和所述栅极结构，所述光刻层填充多个所述栅极结构之间的间隔空间且抵接多个所述栅极结构的侧壁，在所述光刻层中形成用于与移除所述预定区域对应的所述牺牲栅极结构的第一开口，以及沿着所述第一开口移除所述预定区域处的所述牺牲栅极结构以及部分所述光刻层，以形成对应的所述栅极开口； 在形成所述栅极开口之后，在所述衬底上方以及所述栅极开口内沉积抵接所述预留栅极结构的侧壁的阻挡层和或层间介质层；以及 在形成有所述阻挡层和或所述层间介质层的栅极开口中形成栅极间隔件； 所述预定区域对应一个或多个所述牺牲栅极结构和抵接所述牺牲栅极结构的侧壁及其延伸的栅极间隔空间。

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