高通股份有限公司A·帕蒂尔获国家专利权
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龙图腾网获悉高通股份有限公司申请的专利包括衬底和与其耦接的高密度互连结构的半导体封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115210867B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180016934.2，技术领域涉及：H10D80/00；该发明授权包括衬底和与其耦接的高密度互连结构的半导体封装是由A·帕蒂尔;Z·王;卫洪博设计研发完成，并于2021-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括衬底和与其耦接的高密度互连结构的半导体封装在说明书摘要公布了：一种封装包括衬底、集成器件和互连结构。衬底包括第一表面和第二表面。衬底进一步包括用于提供到板的至少一个电连接的多个互连。集成器件耦接至衬底的第一表面。互连结构耦接至衬底的第一表面。集成器件、互连结构和衬底以如下方式耦接在一起，即当第一电信号在集成器件和板之间行进时，第一电信号至少行进通过衬底，然后通过互连结构并返回通过衬底。
本发明授权包括衬底和与其耦接的高密度互连结构的半导体封装在权利要求书中公布了：1.一种封装，包括： 衬底，包括多个第一互连和多个第二互连，所述多个第二互连位于所述衬底的第一表面上并且被配置为将所述衬底电耦接至板或电耦接至第二衬底； 集成器件，耦接至所述衬底；以及 互连结构，耦接至所述衬底， 其中所述集成器件和所述互连结构位于所述多个第二互连的侧向并且位于所述衬底的第一表面上， 其中所述集成器件、所述互连结构和所述衬底提供如下电路径：从所述集成器件到所述衬底、从所述衬底到所述互连结构、以及从所述互连结构返回所述衬底以用于所述集成器件的第一电信号。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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