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龙图腾网获悉北京航空航天大学杭州创新研究院申请的专利一种数字可编程的阵列化自旋太赫兹源器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115202076B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210808261.0，技术领域涉及：G02F1/00；该发明授权一种数字可编程的阵列化自旋太赫兹源器件是由张婕;聂天晓;杨晴;田祺云设计研发完成，并于2022-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种数字可编程的阵列化自旋太赫兹源器件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种数字可编程的阵列化自旋太赫兹源器件，涉及电磁波发射和调控技术领域，包括发射装置和调控系统，发射装置和调控系统连接；调控系统用于向发射装置传输电流，通过电流调控发射装置发射的太赫兹波；发射装置包括由若干个编码单元构成的图案化阵列，发射装置用于发射太赫兹波，编码单元包括异质结，异质结由铁磁层和非铁磁层组成，铁磁层包括二维铁磁材料和铁磁金属，非铁磁层包括拓扑绝缘体、拓扑半金属和重金属；本发明中利用拓扑材料和二维铁磁材料材料分别作为发射装置非铁磁层和铁磁层材料，提高了发射装置的发射效率，本发明将太赫兹发射装置与调控系统电连接，实现了太赫兹波发射和调控一体化，减少了太赫兹波的传输损耗。

本发明授权一种数字可编程的阵列化自旋太赫兹源器件在权利要求书中公布了：1.一种数字可编程的阵列化自旋太赫兹源器件，其特征在于，包括：发射装置和调控系统；所述发射装置与所述调控系统一体化连接； 所述发射装置包括图案化阵列，所述图案化阵列包括若干个编码单元；所述发射装置用于发射太赫兹波，所述编码单元包括异质结； 所述异质结包括第一异质结或第二异质结；所述第一异质结从下往上依次由铁磁层和非铁磁层组合而成；所述第一异质结中铁磁层与非铁磁层在衬底上按照非铁磁层、铁磁层的顺序进行薄膜生长；所述第二异质结从下往上依次由非铁磁层、铁磁层和非铁磁层组成；所述第二异质结中铁磁层与非铁磁层在衬底上按照非铁磁层、铁磁层和非铁磁层的顺序进行薄膜生长；所述铁磁层包括二维铁磁材料和铁磁金属，所述非铁磁层包括拓扑绝缘体、拓扑半金属和重金属； 所述衬底包括绝缘体材料和半导体材料； 所述调控系统包括金属电极和FPGA；所述金属电极与所述FPGA连接，所述FPGA通过所述金属电极与所述发射装置相连； 所述调控系统用于通过控制所述若干个编码单元上电流的大小和或控制所述若干个编码单元上的电流极性的改变来调控太赫兹波。

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