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龙图腾网获悉昆山龙腾光电股份有限公司申请的专利金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板的返工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172386B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210894064.5，技术领域涉及：H10D86/01；该发明授权金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板的返工方法是由李博丹设计研发完成，并于2022-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板的返工方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板的返工方法包括：在对应第一通孔和第二通孔位置的上方图案化形成第一光阻层；去除未被第一光阻层覆盖的第一金属层形成余留源极和余留漏极；去除第一光阻层；以及在蚀刻阻挡层上图案化形成第二金属层，第二金属层包括重置源极和重置漏极，重置源极覆盖在余留源极上与该余留源极接触连接，重置漏极覆盖在余留漏极上与该余留漏极接触连接。本发明的金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板的返工方法能提高产品良率，降低制造成本。

本发明授权金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板的返工方法在权利要求书中公布了：1.一种金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板的返工方法，所述金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板包括衬底110和层叠设置在所述衬底110上的金属氧化物半导体层140、蚀刻阻挡层150和第一金属层160，所述第一金属层160包括间隔设置的初始源极161和初始漏极162，所述蚀刻阻挡层150上设有第一通孔150a和第二通孔150b，所述初始源极161通过所述第一通孔150a与所述金属氧化物半导体层140接触连接，所述初始漏极162通过所述第二通孔150b与所述金属氧化物半导体层140接触连接，其特征在于，所述返工方法包括： 在对应所述第一通孔150a和所述第二通孔150b位置的上方图案化形成第一光阻层210； 去除未被所述第一光阻层210覆盖的所述第一金属层160形成余留源极1611和余留漏极1621； 去除所述第一光阻层210；以及 在所述蚀刻阻挡层150上图案化形成第二金属层170，所述第二金属层170包括重置源极171和重置漏极172，所述重置源极171覆盖在所述余留源极1611上与该余留源极1611接触连接，所述重置漏极172覆盖在所述余留漏极1621上与该余留漏极1621接触连接。

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