上海华虹宏力半导体制造有限公司苏庆获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利静电保护器件结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172360B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210677902.3，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权静电保护器件结构是由苏庆设计研发完成，并于2022-06-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本静电保护器件结构在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体集成电路技术领域，具体涉及静电保护器件结构。新型静电保护器件结构包括：第一导电类型衬底，所述第一导电类型衬底的上层形成第一导电类型阱区；在所述第一导电类型阱区中，沿横向间隔排布的源极区和漏极区，所述源极区和漏极区均为第二导电类型；所有所述漏极区相连引出所述静电保护器件结构的静电输入端，各个所述源极区分别引出所述静电保护器件结构的静电输出端；插入所述漏极区中的第一导电类型扩散区，所述第一导电类型扩散区的周围形成多晶硅隔离结构；多晶硅栅，所述多晶硅栅位于间隔相邻的所述源极区和所述漏极区之间的间隔区上。本申请可以解决相关技术中的静电保护器件结构开启电压较高，静电保护能力较低的问题。
本发明授权静电保护器件结构在权利要求书中公布了：1.一种静电保护器件结构，其特征在于，所述静电保护器件结构包括： 第一导电类型衬底，所述第一导电类型衬底的上层形成第一导电类型阱区； 在所述第一导电类型阱区中，沿横向间隔排布的源极区和漏极区，所述源极区和漏极区均为第二导电类型；所有所述漏极区相连引出所述静电保护器件结构的静电输入端，各个所述源极区分别引出所述静电保护器件结构的静电输出端； 插入所述漏极区中的第一导电类型扩散区，所述第一导电类型扩散区和漏极区的交界位置处形成有多晶硅隔离结构，且所述多晶硅隔离结构覆盖于所述第一导电类型扩散区和漏极区上方； 多晶硅栅，所述多晶硅栅位于间隔相邻的所述源极区和所述漏极区之间的间隔区上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华虹宏力半导体制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励