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龙图腾网获悉诺瓦尔德股份有限公司申请的专利包含含有空穴传输化合物的空穴注入层的有机电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115136338B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180011032.X，技术领域涉及：C07D209/00；该发明授权包含含有空穴传输化合物的空穴注入层的有机电子器件是由托马斯·罗泽诺;维金塔斯·扬库什;马库斯·赫默特;朴茂真;弗拉迪米尔·乌瓦罗夫;安妮特·斯托伊德尔设计研发完成，并于2021-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本包含含有空穴传输化合物的空穴注入层的有机电子器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种包含阳极层、阴极层和空穴注入层的有机电子器件，其中空穴注入层布置在阳极层和阴极层之间，并且其中空穴注入层包含空穴传输化合物和金属络合物。

本发明授权包含含有空穴传输化合物的空穴注入层的有机电子器件在权利要求书中公布了：1.一种包含阳极层、阴极层和空穴注入层的有机电子器件，其中所述空穴注入层布置在所述阳极层和所述阴极层之间，并且其中所述空穴注入层包含空穴传输化合物和金属络合物，其中 -所述空穴传输化合物具有式I： Ar1k─Ar2m─Ar3─Ar4p─Ar5q─Ar6rI， 其中 k，m，q，r彼此独立地选自0、1或2， p是1、2或3， 其中2≤k+m+q+r+p≤11， Ar1至Ar6独立地选自：取代或未取代的不饱和5至7元环的杂环，取代或未取代的C6至C30芳基，取代或未取代的C3至C30杂芳基，取代或未取代的芴，或包含2至6个取代或未取代的5至7元环的稠合环系，并且所述环选自：i不饱和5至7元环的杂环、ii5至6元的芳族杂环、iii不饱和5至7元环的非杂环、iv6元环的芳族非杂环； 其中Ar1至Ar6中的取代基选自：H，D，C1至C12烷基，未取代的C6至C18芳基，未取代的C3至C18杂芳基，包含2至6个未取代的5至7元环的稠合环系，并且所述环选自不饱和5至7元环的杂环、5至6元的芳族杂环、不饱和5至7元环的非杂环和6元环的芳族非杂环；并且 其中 -式I的所述空穴传输化合物的分子量Mw为≥400且≤2000gmol， -当在相同条件下确定时，式I的所述空穴传输化合物的HOMO能级比N4,N4”'-二萘-1-基-N4,N4”'-二苯基-[1,1':4',1”:4”,1”'-四联苯]-4,4”'-二胺的HOMO能级更远离真空能级；并且 -所述金属络合物具有式II： 其中 M是金属离子， n是M的化合价，其中n是1至4的整数， L是包含至少两个碳原子的配体； 其中所述金属络合物的分子量Mw为≥400gmol且≤1500gmol，并且 其中所述空穴注入层与所述阳极层相邻布置。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人诺瓦尔德股份有限公司，其通讯地址为：德国德累斯顿；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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