上海华虹宏力半导体制造有限公司吕斌获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利静电释放IO结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132706B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210677897.6，技术领域涉及：H01L23/60；该发明授权静电释放IO结构是由吕斌设计研发完成，并于2022-06-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本静电释放IO结构在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种静电释放IO结构。静电释放IO结构包括：下层IO层和上层IO层；所述上层IO层包括多个在同层上相间隔的上层IO条，所述下层IO层包括多个在同层上相间隔的下层IO条；所述上层IO条和所述下层IO条交错层叠。通过上层与下层的多根IO条连接在一起，使得任意两个IO条之间能够形成放电通路，从而能够优化静电释放通路的有效性和均匀性。
本发明授权静电释放IO结构在权利要求书中公布了：1.一种静电释放IO结构，其特征在于，所述静电释放IO结构包括：下层IO层和上层IO层； 所述上层IO层包括多个在同层上相间隔的上层IO条，所述下层IO层包括多个在同层上相间隔的下层IO条，所述上层IO条和下层IO条的材质均为导电金属； 所述上层IO条和所述下层IO条交错层叠； 每个所述下层IO条位于相邻两个所述上层IO条的间隔处，且与相邻两个所述上层IO条接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华虹宏力半导体制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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