上海华虹宏力半导体制造有限公司凌周轩获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利反熔丝单元、反熔丝存储器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115101478B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210761888.5，技术领域涉及：H10B20/25；该发明授权反熔丝单元、反熔丝存储器件及其制造方法是由凌周轩;余快;梁肖;孙琪设计研发完成，并于2022-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本反熔丝单元、反熔丝存储器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种反熔丝单元、反熔丝存储器件及其制造方法，所述反熔丝存储器件的制造方法包括：提供一衬底；在第一阱区上形成反熔丝栅结构；形成图形化的掩模层，覆盖反熔丝栅结构及其两侧的第一阱区；执行轻掺杂离子注入工艺；去除第一掩模层，执行源漏离子注入工艺，以在反熔丝栅结构两侧的第一阱区中形成源漏掺杂区，反熔丝栅结构两侧的源漏掺杂区在所述第一阱区形成穿通。本发明中，通过在反熔丝栅结构两侧的阱区不形成源漏轻掺杂区而直接形成源漏掺杂区，利用该源漏掺杂区形成穿通，增大读取电流，从而减少因读出电流较小所引起的缺陷，以提高制造良率，并且相较于其他解决方案，还具有简单易行、低成本的效果。
本发明授权反熔丝单元、反熔丝存储器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种反熔丝存储器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底包括具有第一阱区的存储区及具有第二阱区的逻辑区； 在所述第一阱区上形成反熔丝栅结构及选择管栅结构，在所述第二阱区上形成逻辑栅结构,所述选择管栅结构的宽度大于所述反熔丝栅结构的宽度，所述反熔丝栅结构的宽度小于所述逻辑栅结构的宽度； 形成图形化的掩模层，所述图形化的掩模层覆盖所述第一阱区； 执行轻掺杂离子注入工艺，以在所述逻辑栅结构两侧的第二阱区中形成源漏轻掺杂区； 去除所述图形化的掩模层，执行源漏离子注入工艺，以在所述反熔丝栅结构及所述选择管栅结构两侧的第一阱区中形成源漏掺杂区，所述反熔丝栅结构两侧的源漏掺杂区在所述第一阱区形成穿通。
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