江苏第三代半导体研究院有限公司孙罗男获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利一种APT样品制作方法及APT样品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115078772B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210602591.4，技术领域涉及：G01Q30/20；该发明授权一种APT样品制作方法及APT样品是由孙罗男;王国斌设计研发完成，并于2022-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种APT样品制作方法及APT样品在说明书摘要公布了：本发明公开了一种APT样品制作方法，包括选取含有位错的块状样品；制成适用于TEM检测的TEM薄片样品；用TEM观测所述TEM薄片样品中的位错，获得所述TEM薄片样品上的位错图像；根据所述TEM薄片样品上的位错图像，用FIB围绕所述TEM薄片样品的位错所在位置进行环形铣削，将所述TEM薄片样品制成针尖状的APT样品。通过本发明的方法制备得到的APT样品，可以确保在样品内部具有一个位错，从而为研究位错上的原子分布提供了可靠的研究样本。
本发明授权一种APT样品制作方法及APT样品在权利要求书中公布了：1.一种APT样品制作方法，其特征在于：用于制作含有至少1条位错的APT样品，包括如下步骤： S1：选取含有位错的块状样品； S2：对所述块状样品进行腐蚀处理，以腐蚀形成的腐蚀坑作为判断位错位置的依据，选取其中1个腐蚀坑的中间位置标记为位错中心； S3：以所述位错中心为基准，制成适用于TEM检测的TEM薄片样品； S4：用TEM观测所述TEM薄片样品中的位错，获得所述TEM薄片样品上的位错图像； S5：根据所述TEM薄片样品上的位错图像，在所述TEM薄片样品上沉积至少两条标记线，两条所述标记线的交点位于TEM图像观测的位错线上；以所述交点为中心，在所述TEM薄片样品的表面沉积第一保护层，所述第一保护层设置于所述TEM薄片样品的前表面； S7：将沉积有第一保护层的薄片样品固定在APT样品台上，所述TEM薄片样品沉积的所述标记线的交点位于所述APT样品台中心位置； S8：用FIB围绕所述TEM薄片样品的位错所在位置进行环形铣削，将所述TEM薄片样品制成针尖状的APT样品；其中所述APT样品包含完整位错。
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