索尼半导体解决方案公司井本努获国家专利权
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龙图腾网获悉索尼半导体解决方案公司申请的专利传感器装置和距离测量装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115066754B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202180012688.3,技术领域涉及:H10F39/12;该发明授权传感器装置和距离测量装置是由井本努;细谷昌宏;大竹悠介设计研发完成,并于2021-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本传感器装置和距离测量装置在说明书摘要公布了:根据本发明的传感器装置包括:第一芯片,具有第一半导体基板和第一布线形成层并且具有像素,该像素被配置为包括光电转换元件;以及传输光电转换元件的存储电荷的第一传输门元件和第二传输门元件,以及第二芯片,具有第二半导体基板和第二导布线形成层。所述传感器装置还具有电连接至第一传输门元件的第一导线,电连接至第二传输门元件的第二导线和电连接至地的第三导线,其中,第一导线、第二导线和第三导线中的每一个通过接合形成在第一布线形成层上并且在第一方向上延伸的第一部分和形成在第二布线形成层上并且在第一方向上延伸的第二部分来形成。
本发明授权传感器装置和距离测量装置在权利要求书中公布了:1.一种传感器装置,包括: 第一芯片,包括第一半导体基板和第一布线形成层并且包括像素,所述像素包括光电转换元件、以及被配置为传输所述光电转换元件的积累的电荷的第一传输门元件和第二传输门元件;和 第二芯片,包括第二半导体基板和第二布线形成层,其中, 形成电连接至所述第一传输门元件的第一导线、电连接至所述第二传输门元件的第二导线以及电连接至地的第三导线;并且 所述第一导线、所述第二导线和所述第三导线中的每个通过接合形成在所述第一布线形成层中并且在第一方向上延伸的第一部分和形成在所述第二布线形成层中并且在所述第一方向上延伸的第二部分来形成, 其中,所述第一导线与和所述第一导线相邻的所述第三导线之间的间隔等于所述第二导线与和所述第二导线相邻的所述第三导线之间的间隔。
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