江西兆驰半导体有限公司刘春杨获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种外延片、外延片制备方法及高电子迁移率晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115036367B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210607801.9，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种外延片、外延片制备方法及高电子迁移率晶体管是由刘春杨;胡加辉;吕蒙普;金从龙设计研发完成，并于2022-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种外延片、外延片制备方法及高电子迁移率晶体管在说明书摘要公布了：本发明提供一种外延片、外延片制备方法及高电子迁移率晶体管，所述外延片包括盖帽层，所述盖帽层包括依次层叠的第一子层、第二子层以及第三子层，所述第一子层与所述第三子层均为GaN层，所述第二子层为InGaN层；其中，所述第一子层的生长厚度与所述第三子层的生长厚度均小于或等于所述第二子层的生长厚度，所述第一子层的生长温度与所述第三子层的生长温度均高于或等于所述第二子层的生长温度。本发明解决了现有技术中的外延片欧姆接触电阻高而导致电流承载能力低的问题。
本发明授权一种外延片、外延片制备方法及高电子迁移率晶体管在权利要求书中公布了：1.一种外延片，包括盖帽层，其特征在于，所述盖帽层包括依次层叠的第一子层、第二子层以及第三子层，所述第一子层与所述第三子层均为GaN层，所述第二子层为InGaN层； 其中，所述第一子层的生长厚度与所述第三子层的生长厚度均小于所述第二子层的生长厚度，所述第一子层的生长温度与所述第三子层的生长温度均高于或等于所述第二子层的生长温度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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