江苏芯德半导体科技有限公司王乾获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏芯德半导体科技有限公司申请的专利一种低线弧封装结构及其加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975147B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210560685.X，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权一种低线弧封装结构及其加工方法是由王乾设计研发完成，并于2022-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低线弧封装结构及其加工方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低线弧封装结构及其加工方法，包括塑封层以及包覆在塑封层内的基板、芯片、焊盘、焊线和载体，所述基板顶部设芯片，所述芯片的顶部设置焊盘，所述基板顶部设有载体，所述焊线的一端通过第一键合点连接焊盘，所述焊线的另一端通过第二键合点连接载体。本发明具有减小电路本身的寄生电阻以及寄生电容，提高高频信号传输，提高封装密度，降低封装体积的有益效果。
本发明授权一种低线弧封装结构及其加工方法在权利要求书中公布了：1.一种低线弧封装结构的加工方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1、预备：准备加工所需的基板和芯片； 步骤2、焊盘设置：将所述焊盘设置在所述芯片的顶部； 步骤3、焊丝送线：将所述焊丝以角度a穿过楔形焊头表面通孔处进行送线； 步骤4、第一焊点键合：所述焊丝的引线伸出楔形焊头端部，通过键合机降低楔形焊头，使楔形焊头与第一键合位置接触进行键合，所述楔型焊头包括前倒角和后倒角，所述前倒角长度为FR，所述后倒角长度为BR，所述前倒角和后倒角均以倒角形状的压合在焊线上，所述前倒角和后倒角之间的长度为F，水平方向键合距离为BF，BF=F+25%FR+25%BR，平面键合总长度为BL，BL=BF+75%FR+75%BR； 步骤5、移动：焊丝线夹打开并向后移动一段焊丝距离； 步骤6、上升：键合头上升到预定高度H； 步骤7、移动：键合机水平移动楔形焊头至第二键合点位置上方； 步骤8、第二焊点键合：键合机降低楔型焊头高度，使楔型焊头和第二焊点表面接触进行焊接； 步骤9、移动：闭合焊丝线夹且楔形焊头向远离第二焊点的方向移动一定的距离L； 步骤10、截断：从第二焊点位置截断焊丝，楔形焊头送出一段焊线为下一次键合做准备。
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