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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利用于改善堆叠式半导体装置中电力递送及发信的方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114937657B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210531910.7，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权用于改善堆叠式半导体装置中电力递送及发信的方法及系统是由A·D·韦切斯设计研发完成，并于2018-06-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于改善堆叠式半导体装置中电力递送及发信的方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及用于改善堆叠式半导体装置中电力递送及发信的方法及系统。本文中揭示包含堆叠式半导体裸片的半导体裸片组合件以及相关联的系统及方法，所述堆叠式半导体裸片具有形成于所述堆叠中的邻近对的半导体裸片之间的平行板电容器。在一个实施例中，半导体裸片组合件包含第一半导体裸片及堆叠于所述第一半导体裸片上方的第二半导体裸片。所述第一半导体裸片包含上面形成有第一电容器板的上部表面，且所述第二半导体裸片包含面向所述第一半导体裸片的所述上部表面且上面形成有第二电容器板的下部表面。介电材料至少部分地形成于所述第一与第二电容器板之间。所述第一电容器板、第二电容器板及介电材料一起形成电容器，所述电容器在所述堆叠内局部地存储电荷且可由所述第一及或第二半导体裸片存取。

本发明授权用于改善堆叠式半导体装置中电力递送及发信的方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其包括： 第一半导体裸片，其具有下部表面及与所述下部表面相对的上部表面； 第二半导体裸片，其具有下部表面及与所述下部表面相对的上部表面，其中所述第二半导体裸片堆叠于所述第一半导体裸片上方使得所述第二半导体裸片的所述下部表面面向所述第一半导体裸片的所述上部表面； 堆叠中电容器，其具有位于所述第一半导体裸片的所述上部表面上的第一电容器板、位于所述第二半导体裸片的所述下部表面上的第二电容器板，及位于所述第一电容器板与所述第二电容器板之间的介电材料； 第一多个金属化特征，其布置成所述第一半导体裸片的所述上部表面上的第一多个行，其中所述第一多个金属化特征和所述第一电容器板由相同工艺形成，其中所述第一多个金属化特征具有与所述第一电容器板相同的厚度，其中所述第一电容器板经由导电迹线电耦合到所述第一多个金属化特征中的第一金属化特征，且其中所述第一电容器板的材料部分与所述第一多个行在所述第一半导体裸片的所述上部表面上交错；以及 第二多个金属化特征，其布置成所述第二半导体裸片的所述下部表面上的第二多个行，其中所述第二多个金属化特征和所述第二电容器板由相同工艺形成，其中所述第二多个金属化特征具有与所述第二电容器板相同的厚度，其中所述第二电容器板经由导电迹线电耦合到所述第二多个金属化特征中的第二金属化特征，且其中所述第二电容器板的材料部分与所述第二多个行在所述第二半导体裸片的所述下部表面上交错。

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