华为技术有限公司张岩获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利一种三维铁电存储器、制作方法及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114930530B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080092634.8，技术领域涉及：H10B53/20；该发明授权一种三维铁电存储器、制作方法及电子设备是由张岩;杨喜超;魏侠;秦健鹰设计研发完成，并于2020-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三维铁电存储器、制作方法及电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供了一种三维铁电存储器的制作方法，该方法能够在保证三维铁电存储器具有较好的耐久性，同时又能降低三维铁电存储器制作过程中的刻蚀难度。该方法包括：在衬底上形成堆叠层，该堆叠层包括堆叠且交替设置的隔离层和牺牲层；在堆叠层中设置多列第一电压线，在多列第一电压线中任意相邻的两列第一电压线之间设置隔离凹槽；刻蚀掉堆叠层中的牺牲层，并形成与隔离层堆叠且交替设置的金属层以得到存储层，金属层包括铁电层和多个第二电压线，铁电层包围多个第二电压线和多列第一电压线位于金属层的部分，以使金属层中形成MFM结构，保证了该三维铁电存储器的耐久性。同时由于牺牲层为易腐蚀的材料，从而可以降低制作过程中的刻蚀难度。
本发明授权一种三维铁电存储器、制作方法及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种三维铁电存储器的制作方法，其特征在于，所述方法包括： 在衬底上形成堆叠层，所述堆叠层包括堆叠且交替设置的隔离层和牺牲层； 在所述堆叠层中设置多列第一电压线，所述多列第一电压线沿着所述堆叠层的深度方向延伸； 在所述多列第一电压线中任意相邻的两列第一电压线之间形成贯穿所述堆叠层的隔离凹槽； 刻蚀掉所述堆叠层中的所述牺牲层，以得到第一框架； 在所述第一框架中形成与所述隔离层堆叠且交替设置的金属层，以得到存储层；其中，所述金属层包括铁电层和多个第二电压线，所述铁电层包围所述多个第二电压线和所述多列第一电压线位于所述金属层的部分，以使所述金属层中形成金属-铁电层-金属MFM结构； 其中，所述三维铁电存储器包括多个MFM结构的存储单元，每个MFM结构的存储单元的读写操作通过在所述存储单元的第一电压线和第二电压线上施加电压来实现。
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