买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114914248B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110790034.5，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权半导体存储装置是由竹冈绫花;窪田吉孝设计研发完成，并于2021-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储装置在说明书摘要公布了：本发明的半导体存储装置具备半导体衬底。半导体衬底具备存储单元阵列区域、边缘密封区域、及设置在它们之间的连接区域。存储单元阵列区域具备：多个第1导电层，沿第1方向排列；第1半导体层，与多个第1导电层对向；及第2半导体层，连接在第1半导体层。边缘密封区域具备：沿第1方向排列的第3半导体层及第4半导体层、与电连接在第3半导体层、第4半导体层及半导体衬底的第2导电层。连接区域具备与第2半导体层及第3半导体层或第4半导体层连续形成，在第2方向延伸的第5半导体层及第6半导体层。连接区域具备沿第2方向排列的多个连接部。这些多个连接部中，第5半导体层及第6半导体层电连接。

本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，其具备： 半导体衬底，具备存储单元阵列区域、边缘密封区域、以及设置在所述存储单元阵列区域及所述边缘密封区域间的连接区域； 多个第1导电层，设置在所述存储单元阵列区域，沿与所述半导体衬底的表面交叉的第1方向排列； 第1半导体层，设置在所述存储单元阵列区域，在所述第1方向延伸，与所述多个第1导电层对向； 第2半导体层，设置在所述存储单元阵列区域，设置在所述多个第1导电层与所述半导体衬底之间，连接在所述第1半导体层； 第3半导体层及第4半导体层，设置在所述边缘密封区域，沿所述第1方向排列； 第2导电层，设置在所述边缘密封区域，电连接在所述第3半导体层、所述第4半导体层及所述半导体衬底； 第5半导体层，设置在所述连接区域，在与所述第1方向交叉的第2方向延伸，具备与所述第2半导体层连续形成的部分、及与所述第3半导体层连续形成的部分；及 第6半导体层，设置在所述连接区域，在所述第2方向延伸，具备与所述第2半导体层连续形成的部分、及与所述第4半导体层连续形成的部分；且 所述连接区域具备沿所述第2方向交替排列的多个第1区域及第2区域， 所述多个第1区域中，所述第5半导体层及所述第6半导体层在所述第1方向分离， 所述多个第2区域中，所述第5半导体层及所述第6半导体层电连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人铠侠股份有限公司，其通讯地址为：日本东京；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。