扬州大学徐峰获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉扬州大学申请的专利增强型高电子迁移率晶体管功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114899231B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210414466.0，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权增强型高电子迁移率晶体管功率器件及其制备方法是由徐峰设计研发完成，并于2022-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本增强型高电子迁移率晶体管功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种增强型高电子迁移率晶体管功率器件及其制备方法，所述器件包括从下至上依次叠设的衬底、预铺层、成核层、渐变层、高阻层、沟道层、势垒层和P型层，势垒层上形成源极和漏极，P型层上形成栅极，分别在源极和P型层之间、漏极和P型层之间的势垒层上设置钝化层；P型层包括InGaN超晶格以及叠设在InGaN超晶格上的AlGaN超晶格。本发明能够兼顾到提升材料结晶质量、增加空穴注入效率，增强器件饱和电流、阈值电压和可靠性等多重工艺目的；有效提升受主掺杂的激活效率，增加P型层材料的空穴载流子浓度；相应地还可以减小受主掺杂浓度，降低空穴载流子受到的杂质散射机制。
本发明授权增强型高电子迁移率晶体管功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.增强型高电子迁移率晶体管功率器件，其特征在于，器件包括从下至上依次叠设的衬底1、预铺层2、成核层3、渐变层4、高阻层5、沟道层6、势垒层7和P型层8，势垒层7上形成源极9和漏极10，P型层8上形成栅极11，分别在源极9和P型层8之间、漏极10和P型层8之间的势垒层7上设置钝化层12；P型层8包括InGaN超晶格81以及叠设在InGaN超晶格81上的AlGaN超晶格82；InGaN超晶格81包括周期交叠的InGaN势垒层8101和InGaN势阱层8102；AlGaN超晶格82包括周期交叠的AlGaN势垒层8201和AlGaN势阱层8202。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人扬州大学，其通讯地址为：225009 江苏省扬州市大学南路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励