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龙图腾网获悉武汉华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114883504B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210474302.7，技术领域涉及：H10K59/32；该发明授权显示面板是由夏国奇;金武谦设计研发完成，并于2022-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本显示面板在说明书摘要公布了：本申请公开了一种显示面板，显示面板包括衬底、第一电极、发光功能层和第二电极。其中，第一电极设置在衬底上。发光功能层设置在第一电极远离衬底的一面。发光功能层包括依次设置在第一电极上的第一发光层、电荷生成层和第二发光层。第一发光层包括第一发光子层。第二发光层包括第二发光子层。第二电极设置在第二发光层远离电荷生成层的一面。其中，第一发光子层具有第一薄膜致密性参数，第一薄膜致密性参数大于或等于第一阈值。第二发光子层具有第二薄膜致密性参数，第二薄膜致密性参数大于或等于第二阈值。第一薄膜致密性参数和第二薄膜致密性参数由单位受力条件下薄膜产生的形变量决定。

本发明授权显示面板在权利要求书中公布了：1.一种显示面板，其特征在于，包括： 衬底， 第一电极，设置在所述衬底上； 发光功能层，设置在所述第一电极远离所述衬底的一面，所述发光功能层包括依次设置在所述第一电极上的第一发光层、电荷生成层和第二发光层，所述第一发光层包括第一发光子层，所述第二发光层包括第二发光子层； 第二电极，设置在所述第二发光层远离所述电荷生成层的一面； 其中，所述第一发光子层具有第一薄膜致密性参数，所述第一薄膜致密性参数由如下公式计算得到：X1=ΔF1ΔH1，其中，ΔF1为薄膜的厚度方向上的不同作用力的差值，ΔH1为薄膜的受力部分在不同作用力下的厚度差值，所述第一薄膜致密性参数大于或等于-1.7Ncm且小于0； 所述第二发光子层具有第二薄膜致密性参数，所述第二薄膜致密性参数由如下公式计算得到：X2=ΔF2ΔH2，其中，ΔF2为薄膜的厚度方向上的不同作用力的差值，ΔH2为薄膜的受力部分在不同作用力下的厚度差值，所述第二薄膜致密性参数大于或等于-1.7Ncm且小于0。

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