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龙图腾网获悉合肥御微半导体技术有限公司申请的专利掩模版缺陷检测方法、装置、电子设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114881990B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210567071.4，技术领域涉及：G06T7/00；该发明授权掩模版缺陷检测方法、装置、电子设备及存储介质是由杨朝兴设计研发完成，并于2022-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本掩模版缺陷检测方法、装置、电子设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种掩模版缺陷检测方法、装置、电子设备及存储介质。其中该方法包括：确定待测掩模版的初检图像与所述初检图像的初检缺陷；确定待测掩模版的复检图像；其中，所述初检图像与所述复检图像通过采用不同照明条件和镜头进行图像拍摄得到，且所述初检图像的拍摄倍率小于所述复检图像的拍摄倍率；依据所述初检图像、所述复检图像以及所述初检缺陷，对待测掩模版的缺陷进行分类与筛选。本申请技术方案，通过结合不同照明条件和镜头的复检与初检获得的缺陷信息，降低了压印纹被识别为缺陷的概率，有效提高了缺陷检出性能和效率，同时增加了缺陷分类与筛选的信息量，提高了缺陷分类与筛选的准确性。

本发明授权掩模版缺陷检测方法、装置、电子设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种掩模版缺陷检测方法，其特征在于，所述方法包括： 确定待测掩模版的初检图像与从所述初检图像检出的初检缺陷； 确定待测掩模版的复检图像；其中，所述初检图像与所述复检图像通过采用不同照明条件和镜头进行图像拍摄得到，且所述初检图像的拍摄倍率小于所述复检图像的拍摄倍率； 依据所述初检图像、所述复检图像以及所述初检缺陷，对待测掩模版的缺陷进行分类与筛选； 其中，依据所述初检图像、所述复检图像以及所述初检缺陷，对待测掩模版的缺陷进行分类与筛选，包括： 确定从所述初检图像变换到所述复检图像时，在所述复检图像中与所述初检缺陷匹配的复检缺陷； 依据所述复检缺陷对应的复检图像特征，对所述待测掩模版的缺陷进行分类与筛选； 其中，依据所述复检缺陷对应的复检图像特征，对所述待测掩模版的缺陷进行分类与筛选，包括： 对所述复检缺陷进行膨胀，解析膨胀后获得所述复检缺陷对应的复检图像特征； 依据所述复检缺陷对应的复检图像特征，对所述待测掩模版的缺陷进行分类与筛选； 或者， 确定所述初检缺陷区域面积与参考缺陷区域面积；所述参考缺陷包括属于所述初检缺陷但不属于所述复检缺陷的缺陷； 依据所述初检缺陷区域面积与参考缺陷区域面积，确定所述初检缺陷区域与所述复检缺陷区域的区域间匹配度； 依据所述区域间匹配度以及所述复检缺陷对应的复检图像特征，确定所述待测掩模版上的初检缺陷是否为压印纹缺陷。

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