原子能和替代能源委员会大卫·沃弗雷获国家专利权
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龙图腾网获悉原子能和替代能源委员会申请的专利包括特别是由电介质形成的局部叠置以优化钝化的至少两个钝化层的二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114868263B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080090300.7，技术领域涉及：H10H20/819；该发明授权包括特别是由电介质形成的局部叠置以优化钝化的至少两个钝化层的二极管是由大卫·沃弗雷;科朗坦·勒穆尔特设计研发完成，并于2020-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括特别是由电介质形成的局部叠置以优化钝化的至少两个钝化层的二极管在说明书摘要公布了：二极管100包括半导体层的堆叠101和布置在堆叠101内的有源区102。堆叠101包括侧表面103。二极管100包括第一钝化层107和第二钝化层108，第一钝化层107与侧表面103接触，第二钝化层108与侧表面103接触。第二钝化层108部分地形成在第一钝化层107上。
本发明授权包括特别是由电介质形成的局部叠置以优化钝化的至少两个钝化层的二极管在权利要求书中公布了：1.一种二极管，包括： -沿堆叠轴线限定的半导体层的堆叠，所述堆叠包括侧表面， -布置在所述堆叠内的有源区， -第一钝化层和第二钝化层，所述第一钝化层和第二钝化层中的每一个都沿着与所述堆叠轴线在正负30度基本上平行的轴线延伸；所述第一钝化层和所述第二钝化层分别由第一介电材料和第二介电材料形成，从而通过限制电荷载流子的俘获而实现侧表面的钝化； 所述第一钝化层与所述侧表面接触，所述第二钝化层与所述侧表面接触，所述第二钝化层部分地形成在所述第一钝化层上，所述堆叠包括第一类型掺杂半导体材料层和第二类型掺杂半导体材料层， -所述第一钝化层在所述侧表面处与所述第一类型掺杂半导体材料层接触， -所述第二钝化层在所述侧表面处与所述有源区接触， -所述有源区布置在所述第一类型掺杂半导体材料层与所述第二类型掺杂半导体材料层之间，或者所述有源区布置在所述第一类型掺杂半导体材料层与所述第二类型掺杂半导体材料层之间的接合处。
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