中国科学院微电子研究所苏泽鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种具有老化检测和自毁功能的ATD电路模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114860626B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110170102.8，技术领域涉及：G06F12/10；该发明授权一种具有老化检测和自毁功能的ATD电路模块是由苏泽鑫;李博;宿晓慧;王磊;卜建辉;赵发展;韩郑生设计研发完成，并于2021-02-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有老化检测和自毁功能的ATD电路模块在说明书摘要公布了：本发明涉及一种具有老化检测和自毁功能的ATD电路模块，属于芯片数据安全技术领域。ATD电路模块集成于SRAM芯片内部，包括老化检测单元和ATD逻辑单元。其中，老化检测单元在检测到芯片达到老化阈值后，输出自毁信号至ATD逻辑单元；ATD逻辑单元含有电子熔断器，能在接收到自毁信号后熔断，使ATD逻辑单元彻底丧失工作能力。本发明能够在检测到SRAM芯片的老化程度到达老化阈值后，对SRAM芯片进行永久性自毁，提高SRAM内部数据的安全性。
本发明授权一种具有老化检测和自毁功能的ATD电路模块在权利要求书中公布了：1.一种具有老化检测和自毁功能的ATD电路模块，其特征在于，包括：老化检测单元和ATD逻辑单元；其中， 所述老化检测单元，在检测到芯片达到老化阈值后，输出自毁信号至所述ATD逻辑单元； 所述ATD逻辑单元，用于产生ATD数字脉冲信号，其在接收到所述自毁信号后，令所述ATD数字脉冲信号失效；所述ATD逻辑单元包括电子熔断器、弱上拉电路和选址电路；其中，所述电子熔断器位于所述弱上拉电路和所述选址电路之间；所述弱上拉电路连接电子熔断器的第一端；所述选址电路为多个NMOS晶体管电路；所述多个NMOS晶体管以串联方式连接在电源地和电子熔断器的第二端之间；所述多个NMOS晶体管的栅极分别连接SRAM芯片内部的地址信号线。
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