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龙图腾网获悉湖南脉探芯半导体科技有限公司申请的专利扇形硅漂移探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823964B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210511358.5，技术领域涉及：H10F30/29；该发明授权扇形硅漂移探测器及其制备方法是由李正;熊波设计研发完成，并于2022-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本扇形硅漂移探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种扇形硅漂移探测器，包括基底，基底的上表面为收集面，基底的下表面为入射面；收集面的中心是收集阳极，以收集阳极为中心向外依次设置有收集面漂浮阴极环、收集面内环加压环，收集面内环加压环、收集阳极、收集面漂浮阴极环之间同心；收集面内环加压环外围设置有扇形单元，扇形单元之间设有表面电子排出通道；扇形单元外侧设置有环形保护阳极；入射面包括入射面窗口、入射面阴极加压环和入射面保护环，入射面阴极加压环内部为入射窗口，入射面阴极加压环外侧为入射面保护环。解决了现有技术中存在的表面漏电流会被阳极收集、对于不同角度的扇形结构无法实现拼接等问题。本发明还提供了一种扇形硅漂移探测器的制备方法。

本发明授权扇形硅漂移探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种扇形硅漂移探测器，其特征在于，包括基底，所述基底的上表面为收集面1，基底的下表面为入射面7；收集面1的中心是收集阳极14，以收集阳极14为中心向外依次设置有收集面漂浮阴极环15、收集面内环加压环13，收集面内环加压环13、收集阳极14、收集面漂浮阴极环15之间同心；收集面内环加压环13外围设置有扇形单元2，扇形单元2之间设有表面电子排出通道6；扇形单元2外侧设置有环形保护阳极3；入射面7包括入射面窗口8、入射面阴极加压环9和入射面保护环10，入射面阴极加压环9内部为入射窗口，入射面阴极加压环9外侧为入射面保护环10，入射面阴极加压环9和入射面保护环10与入射面7的正中心同心； 所述扇形单元2包括收集面保护环5、收集面外环阴极加压环4，收集面保护环5位于扇形单元2的最外围，收集面外环阴极加压环4位于收集面保护环5内侧； 所述扇形单元2还包括分压链条11、收集面漂移环12；分压链条11和收集面漂移环12由扇形单元2最内侧向外交错排布；分压链条11由内向外长度和宽度依次增加；收集面漂移环12两端与分压链条11漂移环的两端对应连接； 基底是N+型高阻硅晶片，厚度为300~500μm，掺杂浓度为4×1011~2×1012cm-3。

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