上海华力集成电路制造有限公司姜兰获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利锗硅沟道栅极的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823312B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210235494.6，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权锗硅沟道栅极的形成方法是由姜兰设计研发完成，并于2022-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本锗硅沟道栅极的形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种锗硅沟道栅极的形成方法，提供衬底，衬底上形成有氧化物掩埋层，氧化物掩埋层的表面形成有绝缘硅层，绝缘硅层上形成有锗硅层；氧化锗硅层，将锗硅层的上表面氧化形成为第一氧化层；在第一氧化层上形成第二氧化层；对第二氧化层的氧空位缺陷进行修复。本发明采用低压热氧化法形成超薄界面层，然后采用原子氧化层沉积法形成一定厚度的栅氧，最后采用高温等离子体氧化法对原子氧化层的氧空位缺陷进行修复，从而形成高质量的栅氧层，采用该方法获得的栅氧质量较高，同时可以避免锗硅沟道中锗的氧化，减少界面缺陷，提升界面质量，从而提升器件的可靠性。
本发明授权锗硅沟道栅极的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种锗硅沟道栅极的形成方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有氧化物掩埋层，所述氧化物掩埋层的表面形成有绝缘硅层，所述绝缘硅层上形成有锗硅层； 步骤二、采用低压热氧化的方法，将所述锗硅层的上表面氧化形成为第一氧化层，所述低压热氧化的方法中，温度为700至900度，通入氧气的时间为10至60秒，压强为7至30托，所述第一氧化层的材料为二氧化硅； 步骤三、在所述第一氧化层上采用原子气相沉积的方法形成第二氧化层； 步骤四、对所述第二氧化层的氧空位缺陷进行修复。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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