江西兆驰半导体有限公司张彩霞获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114792749B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210457982.1，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法是由张彩霞;程金连;印从飞;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2022-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法，GaN基发光二极管外延片包括多量子阱层，多量子阱层为量子阱层、量子阱帽层和量子垒层交替层叠的周期性结构；量子阱帽层包括依次层叠的BInGaN子层、复合子层及BGaN子层，复合子层为SiN层和BN层交替层叠的周期性结构，BInGaN子层、复合子层及BGaN子层的生长温度梯度升高，并且BInGaN子层的In组分含量渐变减少。本发明通过对多量子阱层中的帽层做了特殊设计，既很好的实现了保护量子阱In组分的目的，又有利于减少阱垒晶格失配，缓解量子阱垒界面处In的偏析，提升量子阱垒处的界面晶体质量，使得阱垒界面处更加陡峭，有利于波长均匀性的提升和获得更好的抗静电能力，并成功提升了发光二极管的发光效率。
本发明授权一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN基发光二极管外延片，其特征在于，包括多量子阱层，所述多量子阱层为量子阱层、量子阱帽层和量子垒层交替层叠的周期性结构； 其中，所述量子阱帽层包括依次层叠的BInGaN子层、复合子层及BGaN子层，所述复合子层为SiN层和BN层交替层叠的周期性结构，所述BInGaN子层的生长温度、所述复合子层的生长温度及所述BGaN子层的生长温度依次梯度升高，并且所述BInGaN子层的In组分含量在其生长方向渐变减少。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江西兆驰半导体有限公司，其通讯地址为：330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励