株式会社日本显示器渡壁创获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社日本显示器申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114792695B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210085605.X，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权半导体装置是由渡壁创;三浦健太郎;花田明纮设计研发完成，并于2022-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：根据一个实施方式，半导体装置具备：多晶硅半导体；配置于多晶硅半导体之上的中间绝缘层；配置于中间绝缘层之上的氧化物半导体；配置于中间绝缘层之上及氧化物半导体之上的第二绝缘层；配置于第二绝缘层之上并位于氧化物半导体正上方的栅极电极；第一导电层，经由贯通中间绝缘层及第二绝缘层的第一接触孔与多晶硅半导体接触，经由贯通第二绝缘层的第二接触孔与氧化物半导体接触；以及第二导电层，在第一接触孔和第二接触孔之间与第一导电层层叠，第一导电层具有从第二接触孔向栅极电极延伸的延伸部，第二导电层不层叠于延伸部，第一导电层的膜厚小于第二导电层的膜厚。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备： 绝缘基板； 第一绝缘层，配置于所述绝缘基板的上方； 多晶硅半导体，配置于所述第一绝缘层之上； 中间绝缘层，配置于所述多晶硅半导体之上； 氧化物半导体，配置于所述中间绝缘层之上； 第二绝缘层，配置于所述中间绝缘层之上及所述氧化物半导体之上； 栅极电极，配置于所述第二绝缘层之上，位于所述氧化物半导体的正上方； 第一导电层，经由贯通所述中间绝缘层及所述第二绝缘层的第一接触孔而与所述多晶硅半导体接触，并且经由贯通所述第二绝缘层的第二接触孔而与所述氧化物半导体接触；以及 第二导电层，在所述第一接触孔与所述第二接触孔之间，与所述第一导电层层叠， 所述第一导电层具有从所述第二接触孔向所述栅极电极延伸的延伸部， 所述第二导电层不层叠于所述延伸部， 所述第二绝缘层正上方的所述第一导电层的膜厚小于所述第二绝缘层上方的所述第二导电层的膜厚。
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