微软技术许可有限责任公司P·阿塞夫获国家专利权
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龙图腾网获悉微软技术许可有限责任公司申请的专利制造用于控制材料的定向沉积的中空壁的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114746978B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980102686.6，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权制造用于控制材料的定向沉积的中空壁的方法是由P·阿塞夫;E·彻尼舍瓦;A·辛格;王贯中设计研发完成，并于2019-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造用于控制材料的定向沉积的中空壁的方法在说明书摘要公布了：一种制造用于控制材料的定向沉积的中空壁的方法，包括：在衬底上形成抗蚀剂的层；选择性地去除抗蚀剂的一部分以在抗蚀剂中形成通道；在通道中形成非晶介电材料层；以及去除抗蚀剂以形成中空壁。该通道具有前表面，该前表面被构造成防止中空壁的相应前表面弯曲。例如，在制造半导体‑超导体混合器件时，中空壁可以用于控制材料的沉积。通过适当地构造通道，可以防止中空壁弯曲，从而允许材料的更精确沉积。还提供了另一种制造中空壁的方法；以及使用中空壁制造器件的方法。
本发明授权制造用于控制材料的定向沉积的中空壁的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造用于控制材料的定向沉积的中空壁的方法，所述方法包括： 在衬底上形成抗蚀剂的层； 选择性地去除所述抗蚀剂的一部分以在所述抗蚀剂中形成通道； 在所述通道中形成非晶介电材料层；以及 去除所述抗蚀剂以形成所述中空壁； 其中所述通道具有大致矩形形状，所述大致矩形形状包括前表面、与所述前表面相对的后表面以及侧表面对，所述前表面被构造成防止所述中空壁的对应前表面弯曲，并且其中所述大致矩形形状包括在所述前表面与所述侧表面对中的一个侧表面之间的倒角拐角，所述倒角拐角具有与相应侧表面的内角。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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