海迪科(南通)光电科技有限公司孙智江获国家专利权
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龙图腾网获悉海迪科(南通)光电科技有限公司申请的专利一种新型封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114744004B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110015602.4，技术领域涉及：H10H29/14；该发明授权一种新型封装结构及其制造方法是由孙智江;王书昶;吴陆设计研发完成，并于2021-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种新型封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种新型封装结构及其制作方法，包括芯片，所述芯片的外表面包覆有外封装层，所述外封装层包括设置在芯片顶面的顶部封装层以及设置在芯片侧面的侧部封装层，其特征在于：所述侧部封装层的底面高于芯片的底面。本发明优点是：外封装层中位于芯片侧面的侧部封装层底面高于芯片的底面2μm，在芯片焊接时，由于芯片底面外围没有其他材料，熔融的锡膏能够更好的连接基板与芯片结合，焊接后推拉力不受影响，芯片不易脱落。
本发明授权一种新型封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种新型封装结构，包括芯片，所述芯片的外表面包覆有外封装层，所述外封装层包括设置在芯片顶面的顶部封装层以及设置在芯片侧面的侧部封装层，其特征在于：所述芯片侧面中至少一侧的侧部封装层底面高于芯片的底面2μm，且不高于芯片高度的一半；制作新型封装结构的方法为： S1：首先对制作芯片的晶圆进行划片、裂片，再进行扩膜，使得晶圆分裂成若干个独立的芯片，且相邻的芯片之间存在一个间隙； S2：然后进行倒膜，将各芯片间隔排布在一个底板上形成一个芯片阵列； S3：通过喷涂、点胶或印刷的方式，在芯片阵列中各相邻芯片之间的间隙中填充紧贴芯片侧面的牺牲层并烘干，控制烘干后的牺牲层厚度不小于2μm，且不高于芯片高度的一半； S4：再在整个芯片阵列的表面整体喷涂封装材料，使得封装材料填充在牺牲层上表面的相邻芯片之间以及芯片上表面，并对封装材料进行固化形成外封装层； S5：再次进行倒膜，使得外封装层的表面贴于另一底板上，露出芯片阵列底部的牺牲层，并通过化学清洗的方式去除掉牺牲层； S6：对芯片阵列进行切割，得到的芯片外侧壁中上部以及顶部包覆有外封装层的封装结构，将封装结构通过焊料焊接至基板上。
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