买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉桑迪士克科技有限责任公司申请的专利控制字线电压以减小存储器设备中的读取干扰获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114730606B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180006669.X，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权控制字线电压以减小存储器设备中的读取干扰是由A·N·扎努丁;H·钦;袁家辉设计研发完成，并于2021-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本控制字线电压以减小存储器设备中的读取干扰在说明书摘要公布了：描述了用于通过减小沟道梯度和到存储器单元的电荷注入来减小存储器设备中的读取干扰的装置和技术。在读取选定NAND串中的存储器单元之前，未选定NAND串的沟道被升压。该升压涉及在漏极侧选择栅极晶体管接通然后关断并且选定字线WLn的非相邻字线的电压信号增大到读取通过电压的同时，将正电压施加到该未选定NAND串的源极端和漏极端。WLn的相邻字线的电压信号：增大到峰值电平以增强沟道导电来更快读取，其中该峰值电平小于该读取通过电压；减小到降低的电平以减小沟道梯度，并且因此减小读取干扰；然后增大到该读取通过电压。

本发明授权控制字线电压以减小存储器设备中的读取干扰在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，包括： 控制电路110,122，所述控制电路被配置为连接到未选定NAND串710n和选定NAND串700n,700n1,700n2；710n1,710n2；720n,720n1,720n2；730n,730n1,730n2，所述未选定NAND串包括位于漏极侧选择栅极晶体管712,732,752,772和源极侧选择栅极晶体管701,721,741,761之间的多个存储器单元703-710；723-730；743-750；763-770，所述多个存储器单元包括连接到选定字线WLn的未选定存储器单元727、所述未选定存储器单元的漏极侧相邻存储器单元728和所述未选定存储器单元的非相邻存储器单元722-726,729,730，所述选定NAND串包括连接到所述选定字线的选定存储器单元；和 连接到所述控制电路的存储器接口131，所述控制电路被配置为经由所述存储器接口发出命令以在所述选定存储器单元的读取操作中执行预充电阶段，然后执行感测阶段； 在所述预充电阶段，当施加到所述非相邻存储器单元的电压信号从初始电平增大到标称读取通过电平Vread时，所述控制电路被配置为： 向所述选定字线施加电压信号，所述电压信号从所述未选定存储器单元关断的初始电平增大到所述未选定存储器单元接通的峰值电平，然后减小到所述未选定存储器单元关断的降低的电平； 向所述漏极侧选择栅极晶体管施加电压信号，所述电压信号从所述漏极侧选择栅极晶体管关断的初始电平增大到所述漏极侧选择栅极晶体管接通的峰值电平，然后减小到所述漏极侧选择栅极晶体管关断的降低的电平；以及 向所述漏极侧相邻存储器单元施加电压信号，所述电压信号从所述漏极侧相邻存储器单元关断的初始电平增大到所述漏极侧相邻存储器单元接通的峰值电平，然后减小到降低的电平Vread_low1；以及 在所述感测阶段，所述控制电路被配置为将施加到所述非相邻存储器单元的所述电压信号维持在所述标称读取通过电平Vread，将施加到所述漏极侧相邻存储器单元的所述电压信号从其降低的电平增大到读取通过电平VreadK，并且在感测所述选定存储器单元时将读取电压VrA-VrG施加到所述选定字线。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人桑迪士克科技有限责任公司，其通讯地址为：美国德克萨斯州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。