桑迪士克科技有限责任公司陈汉平获国家专利权
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龙图腾网获悉桑迪士克科技有限责任公司申请的专利对存储器单元进行重新编程以紧缩阈值电压分布并改善数据保持获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114730600B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080081488.9，技术领域涉及：G11C16/04；该发明授权对存储器单元进行重新编程以紧缩阈值电压分布并改善数据保持是由陈汉平;H·钦;A·巴拉斯卡尔设计研发完成，并于2020-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本对存储器单元进行重新编程以紧缩阈值电压分布并改善数据保持在说明书摘要公布了：本公开描述了用于对存储器单元进行重新编程以紧缩阈值电压分布并改善数据保持的技术。在一个方面，在相邻的稍后编程的字线WLn+1的存储器单元的编程之后，字线WLn的存储器单元被重新编程。该重新编程可限于邻近WL+1的较低状态存储器单元的WLn的较低状态存储器单元。在该重新编程中使用的编程脉冲量值可针对该WLn存储器单元和该相邻的WLn+1存储器单元的数据状态进行定制。在一些情况下，可将该编程脉冲量值分组以减小具体实施的复杂性和时间。在初始编程操作已经完成之后，在控制电路的空闲时间期间，该重新编程可进行。
本发明授权对存储器单元进行重新编程以紧缩阈值电压分布并改善数据保持在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，包括： 控制电路，配置为连接到：一组存储器单元，所述一组存储器单元布置在一组NAND串中，并且连接到一组字线，所述一组字线连接到所述一组存储器单元，所述一组字线包括连接到所述一组存储器单元中的第一存储器单元的第一字线和连接到所述一组存储器单元中的第二存储器单元的第二字线，所述第一存储器单元与所述第二存储器单元相邻； 所述控制电路被配置为： 对所述第一存储器单元进行编程； 在对所述第一存储器单元进行编程之后对所述第二存储器单元进行编程； 在所述第二存储器单元的所述编程之后读取所述第一存储器单元以将所述第一存储器单元的阈值电压分类到相应阈值电压范围中； 在所述第二存储器单元的所述编程之后读取所述第二存储器单元以将所述第二存储器单元的阈值电压分类到相应阈值电压范围中；并且 基于所述第一存储器单元的所述相应阈值电压范围和所述第二存储器单元的所述相应阈值电压范围是否低于指定电压来决定是否对所述第一存储器单元进行重新编程。
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