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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于顶栅侧壁栅解耦合调制的高线性Fin-HEMT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114724949B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210147858.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权基于顶栅侧壁栅解耦合调制的高线性Fin-HEMT器件及其制备方法是由陈怡霖;张濛;马晓华;郭思音;宓珉瀚;朱青设计研发完成，并于2022-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于顶栅侧壁栅解耦合调制的高线性Fin-HEMT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于顶栅侧壁栅解耦合调制的高线性Fin‑HEMT器件及其制备方法，包括：选取衬底层；在衬底层上生长缓冲层；在缓冲层上生长i‑GaN层；在i‑GaN层上生长AlGaN势垒层；在AlGaN势垒层上淀积欧姆金属；从AlGaN势垒层的外围注入离子至i‑GaN层内；在AlGaN势垒层上制备SiN层；将栅脚区域的SiN层去除；在栅脚区域的AlGaN势垒层上制备顶栅；间隔去除侧壁栅区域的顶栅金属、AlGaN势垒层以及部分i‑GaN层，使AlGaN势垒层及AlGaN势垒层上的顶栅金属呈预设间隔间断排布；在侧壁栅区域的i‑GaN层上和顶栅金属上制备Al2O3介质层；在侧壁栅区域的Al2O3介质层的底部和侧壁上制备侧壁栅。本发明通过对顶栅和侧壁栅分别施加不同栅极偏置，在更大的栅极过驱动范围内提高跨导的平坦度和器件的线性度。

本发明授权基于顶栅侧壁栅解耦合调制的高线性Fin-HEMT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于顶栅侧壁栅解耦合调制的高线性Fin-HEMT器件的制备方法，其特征在于，所述高线性Fin-HEMT器件的制备方法包括： 选取衬底层； 在所述衬底层上生长缓冲层； 在所述缓冲层上生长i-GaN层； 在所述i-GaN层上生长AlGaN势垒层； 在所述AlGaN势垒层上淀积欧姆金属，以制备源极和漏极； 从所述AlGaN势垒层的外围注入离子至所述i-GaN层内，以实现器件隔离； 在所述AlGaN势垒层上制备SiN层； 将栅脚区域的所述SiN层去除，以暴露所述栅脚区域的所述AlGaN势垒层； 在所述栅脚区域的所述AlGaN势垒层上淀积顶栅金属，以制备顶栅； 间隔去除侧壁栅区域的所述顶栅金属、所述AlGaN势垒层以及部分i-GaN层，以使所述AlGaN势垒层以及所述AlGaN势垒层上的顶栅金属呈预设间隔间断排布； 在所述侧壁栅区域的所述i-GaN层上和间隔排布的所述顶栅金属上制备Al2O3介质层； 在所述侧壁栅区域的所述Al2O3介质层的底部和侧壁上淀积侧壁栅金属，以制备侧壁栅。

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