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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种硅基高电子迁移率晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114709261B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210295895.0，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种硅基高电子迁移率晶体管及其制备方法是由胡加辉;刘春杨;吕蒙普;金从龙;顾伟设计研发完成，并于2022-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅基高电子迁移率晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅基高电子迁移率晶体管及其制备方法，涉及半导体工艺技术领域，该硅基高电子迁移率晶体管包括：衬底；所述衬底上依次设有AlN成核层、高阻缓冲层、沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层及GaN盖帽层；其中，所述AlN成核层包括粗化处理后的第一高温AlN成核层及第二高温AlN成核层，所述第一高温AlN成核层设于所述衬底上。第一高温AlN成核层能有效的阻挡衬底中的杂质，对第一高温AlN成核层进行表面粗化处理，能释放衬底与外延层之间的应力，在粗化处理后的第一高温AlN成核层上设有第二高温AlN成核层，能进一步释放第一高温AlN成核层积累的应力，本发明能够解决现有技术中硅衬底的硼原子扩散至外延层，硅衬底与外延层之间存在较大应力，导致外延层晶体质量下降的技术问题。

本发明授权一种硅基高电子迁移率晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅基高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述硅基高电子迁移率晶体管包括： 衬底； 所述衬底上依次设有AlN成核层、高阻缓冲层、沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层及GaN盖帽层； 其中，所述AlN成核层包括粗化处理后的第一高温AlN成核层及第二高温AlN成核层，所述第一高温AlN成核层设于所述衬底上，所述第一高温AlN成核层的生长温度为1100-1200℃，压力为40-70mbar，所述第二高温AlN成核层的生长温度为1100-1200℃，压力为40-70mbar，粗化处理为在温度1000-1100℃、压力为40-70mbar的条件下通入Cl2对所述第一高温AlN成核层进行粗化处理1-5min，再通入N2吹扫10-20min，以去除反应腔室中未反应的Cl2，粗化厚度为2-10nm，所述第一高温AlN成核层的厚度为100-200nm，所述第二高温AlN成核层的厚度为100-200nm。

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