苏州能讯高能半导体有限公司宋晰获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州能讯高能半导体有限公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695532B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011599595.9，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由宋晰;韩鹏宇;王慧琴设计研发完成，并于2020-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括有源区和无源区；半导体器件还包括：位于衬底一侧的源极、栅极和漏极，栅极位于源极和漏极之间；栅极包括第一端部和中间部，中间部、源极和漏极均位于有源区，第一端部位于无源区；第一端部包括第一子端部和第二子端部；沿第一方向，第一子端部的延伸宽度大于中间部的延伸宽度，第二子端部的延伸宽度大于第一子端部的延伸宽度；第一方向与源极指向漏极的方向平行。通过增大栅极端部的延伸宽度，增加栅极端部金属与衬底的接触面积，提高了器件封装效率，保证了栅极结构稳定、性能稳定，进一步提高半导体器件的工作稳定性和可靠性。
本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括有源区以及围绕所述有源区的无源区；所述半导体器件还包括： 衬底； 位于所述衬底一侧的源极、栅极和漏极，所述栅极位于所述源极和所述漏极之间； 所述栅极包括第一端部和中间部，所述中间部、所述源极和所述漏极均位于所述有源区，所述第一端部位于所述无源区； 所述第一端部包括第一子端部和第二子端部；沿第一方向，所述第一子端部的延伸宽度大于所述中间部的延伸宽度，所述第二子端部的延伸宽度大于所述第一子端部的延伸宽度；所述第一方向与所述源极指向所述漏极的方向平行； 所述第一子端部向所述源极一侧和或所述漏极一侧弯曲； 所述第二子端部向所述源极一侧和或所述漏极一侧弯曲，沿所述第一方向，所述第一子端部的弯曲部分和所述第二子端部的弯曲部分位于所述第一端部不同的两侧； 通过设置所述第一子端部以修正源漏两端拐角位置处对应的栅极形状畸变；通过设置所述第二子端部以增大所述栅极的端部面积，提高所述半导体器件封装效率。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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