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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利采用局部预刻蚀欧姆工艺的GaN基HEMT及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695522B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011638648.3，技术领域涉及：H10D62/85；该发明授权采用局部预刻蚀欧姆工艺的GaN基HEMT及其制备方法是由马晓华;侯斌;司泽艳;芦浩;杨凌;郝跃设计研发完成，并于2020-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本采用局部预刻蚀欧姆工艺的GaN基HEMT及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种采用局部预刻蚀欧姆工艺的GaN基HEMT及其制备方法，方法包括选取外延基片；刻蚀外延基片的有源区两端至第一预设厚度的缓冲层，以形成电隔离区域；刻蚀第二预设厚度的势垒层，以形成两组图形化阵列区域；在两组图形化阵列区域内淀积合金预沉积层；在位于势垒层和合金预沉积层上的源电极图形区和漏电极图形区上分别淀积欧姆金属，以形成源电极和漏电极；在势垒层、源电极和漏电极上生长钝化层；刻蚀钝化层至势垒层表面以形成栅槽；在栅槽内淀积栅电极金属，以形成栅电极。本发明减小了无金欧姆接触退火温度和接触电阻，降低了器件膝点电压，提升了功率附加效率；提升了欧姆接触表面平整度，改善了源、漏电极边缘金属外扩。

本发明授权采用局部预刻蚀欧姆工艺的GaN基HEMT及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种采用局部预刻蚀欧姆工艺的GaN基HEMT的制备方法，其特征在于，包括： 选取外延基片10，所述外延基片包括有从下至上依次层叠的衬底层101、成核层102、缓冲层103和势垒层104； 刻蚀所述外延基片10的有源区两端至第一预设厚度的所述缓冲层103，以形成电隔离区域20，所述第一预设厚度是指从所述缓冲层的上表面向下刻蚀的深度，且所述第一预设厚度小于所述缓冲层103的厚度； 刻蚀第二预设厚度的所述势垒层104，以形成两组图形化阵列区域30，所述第二预设厚度小于所述势垒层104的厚度； 在所述两组图形化阵列区域30内淀积合金预沉积层40，所述合金预沉积层40为SixTayAlz合金； 在位于所述势垒层104和所述合金预沉积层40上的源电极图形区和漏电极图形区上分别淀积欧姆金属50，以形成源电极60和漏电极70； 在所述势垒层104、所述源电极60和所述漏电极70上生长钝化层80； 刻蚀所述钝化层80至所述势垒层104表面以形成栅槽90； 在所述栅槽90内淀积栅电极金属，以形成栅电极100，所述栅电极100位于所述源电极60和所述漏电极70之间。

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