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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于无金工艺的硅基氮化镓高功率射频器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695521B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011627341.3，技术领域涉及：H10D62/85；该发明授权基于无金工艺的硅基氮化镓高功率射频器件及其制备方法是由马晓华;芦浩;侯斌;杨凌;司泽艳;杜佳乐;郝跃设计研发完成，并于2020-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于无金工艺的硅基氮化镓高功率射频器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于无金工艺的硅基氮化镓高功率射频器件及其制备方法，所述制备方法包括：获取外延基片并进行清洗，外延基片自下而上依次包括衬底、成核层、缓冲层和势垒层；在外延基片有源区边缘刻蚀台面至缓冲层，形成有源区域隔离；在势垒层上刻蚀图形化阵列凹槽，并在图形化阵列凹槽中沉积合金欧姆金属形成欧姆预沉积层；在势垒层上形成源电极和漏电极，源电极和漏电极位于欧姆预沉积层上方；在势垒层、源电极和漏电极上形成钝化层；在源电极与漏电极之间的势垒层上形成梯形形状的栅电极；制作背通孔，并在背通孔中形成完成源电极互联层和钝化层。该功率器件采用欧姆预沉积层和带有倾斜场板的栅极，减小接触电阻，改善沟道电场分布。

本发明授权基于无金工艺的硅基氮化镓高功率射频器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于无金工艺的硅基氮化镓高功率射频器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 获取外延基片并进行清洗，所述外延基片自下而上依次包括衬底、成核层、缓冲层和势垒层；所述衬底为Si衬底，所述成核层为AlN成核层，所述缓冲层为GaN缓冲层，所述势垒层为AlGaN势垒层； 在所述外延基片有源区边缘刻蚀台面至缓冲层，形成有源区域隔离； 在所述AlGaN势垒层刻蚀出图形化阵列凹槽，其中，所述图形化阵列凹槽为在所述AlGaN势垒层上平行排列的两列凹槽，所述图形化阵列凹槽的底面形状为正方形、圆形或菱形； 将完成图形化阵列凹槽刻蚀的样片采用等离子去胶机去除未显影干净的光刻胶薄层； 在所述图形化阵列凹槽内部溅射合金金属，形成欧姆预沉积层，其中，所述合金欧姆金属为SixTayAlz合金； 在所述势垒层上形成源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极位于所述欧姆预沉积层上方； 在所述势垒层、所述源电极和所述漏电极上形成钝化层； 在所述源电极与所述漏电极之间的势垒层上形成梯形形状的栅电极； 在所述衬底的背面制作背通孔，并在所述背通孔中形成金属互联层和钝化层。

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