陕西科技大学仇伯仓获国家专利权
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龙图腾网获悉陕西科技大学申请的专利一种产生频率调制连续波的单臂调制器及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114637133B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210284164.6，技术领域涉及：G02F1/025；该发明授权一种产生频率调制连续波的单臂调制器及方法是由仇伯仓;徐术杰;苏靖帆;胡雨设计研发完成，并于2022-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种产生频率调制连续波的单臂调制器及方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种产生频率调制连续波的单臂调制器及方法，属于半导体激光技术领域。本发明通过相位调制实现光的频率调制，外加电信号在调制器波导结构上产生随时间变化的电场，从而通过电光效应，引起入射光在单臂调制器中传播的相位变化，进而导致入射光频率变化，该方案结构简单、体积小、成本低、且容易与激光器光源集成。
本发明授权一种产生频率调制连续波的单臂调制器及方法在权利要求书中公布了：1.一种产生频率调制连续波的单臂调制器，包括调制器主体11，其特征在于，所述调制器主体11包括： 芯片主体，通过刻蚀在所述芯片主体上形成单脊直波导结构；作为传递路径传输输入激光； 射频行波电极12，设置在所述芯片主体上； 偏置电极13，设置在所述芯片主体上；所述偏置电极13与射频行波电极12之间的变化电场作用于输入激光，生成不同频率的输出光信号； 所述调制器主体11还包括： 衬底111材料，所述芯片主体在所述衬底111材料的外延生长形成； 所述芯片主体包括： 从下到上依次层叠的n型限制层112、半导体材料芯层113和p型限制层114; 两个介质层，分别设置在所述n型限制层112和半导体材料芯层113以及所述半导体材料芯层113和p型限制层114之间； 所述射频行波电极12设置在所述p型限制层顶端，并与所述p型限制层连接； 所述偏置电极13设置在远离所述半导体材料芯层113的一端，并与所述n型限制层连接。
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