株洲中车时代半导体有限公司胡巍获国家专利权
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龙图腾网获悉株洲中车时代半导体有限公司申请的专利一种快恢复二极管、芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114628530B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011474140.4，技术领域涉及：H10D8/50；该发明授权一种快恢复二极管、芯片及其制作方法是由胡巍;覃荣震;肖海波;张中华;肖强;罗海辉设计研发完成，并于2020-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种快恢复二极管、芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种快恢复二极管、芯片及其制作方法，包括：P+型阳极区、基区和N+型阴极区，在所述基区靠近所述N+阴极区的部分还包括：至少一个埋层区，所述至少一个埋层区包括具有第一掺杂类型的第一部分和具有第二掺杂类型的第二部分，所述第一部分与所述第二部分构成PN结。
本发明授权一种快恢复二极管、芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种快恢复二极管，包括：P+型阳极区、基区和N+型阴极区， 在所述基区靠近所述N+阴极区的部分还包括：至少一个埋层区，所述埋层区与所述N+阴极区间隔设置； 所述至少一个埋层区包括第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分均位于所述基区中，且所述第一部分位于所述第二部分背离所述N+阴极区的一侧表面，其中，所述第二部分与所述N+阴极区间隔设置； 所述第一部分的掺杂类型与所述第二部分的掺杂类型不同，并且所述第一部分和所述第二部分构成PN结； 至少一个埋层区包括多个数量的埋层区，多个埋层区之间呈中心对称分布；每个埋层区均构成独立的PN结。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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