罗伯特·博世有限公司D·斯霍尔滕获国家专利权
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龙图腾网获悉罗伯特·博世有限公司申请的专利沟槽式晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114600254B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080074240.X，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权沟槽式晶体管是由D·斯霍尔滕;K·埃耶斯;W·法伊勒;S·施魏格尔;J-H·阿尔斯迈尔;C·T·班茨哈夫设计研发完成，并于2020-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本沟槽式晶体管在说明书摘要公布了：提供一种沟槽式晶体管100，其具有：半导体区2，构造在所述半导体区2中的沟槽结构1，在所述沟槽结构1中的、栅极绝缘层3，4和构造在所述栅极绝缘层3，4中的导电的栅极层5，和与在所述沟槽式晶体管100的边缘区域7a中的栅极层5导电地连接的栅极接触部6，其中，所述栅极绝缘层3，4的厚度8在所述沟槽式晶体管100的边缘区域7a中比在所述沟槽式晶体管100的有源的区域7b中更大。
本发明授权沟槽式晶体管在权利要求书中公布了：1.一种沟槽式晶体管100，其具有： 半导体区2； 构造在所述半导体区2中的沟槽结构1； 在所述沟槽结构1中的栅极绝缘层3，4和导电的栅极层5，所述导电的栅极层构造在所述栅极绝缘层3，4上；和 栅极接触部6，所述栅极接触部与在所述沟槽式晶体管100的边缘区域7a中的栅极层5导电地连接， 其中，所述栅极绝缘层3，4的厚度8在所述沟槽式晶体管100的边缘区域7a中比在所述沟槽式晶体管100的有源的区域7b中更大， 其中，所述沟槽结构10a，10b的宽度21从所述沟槽式晶体管500的有源的区域19a朝向所述沟槽晶体管500的边缘区域19b地连续增加。
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