江西兆驰半导体有限公司胡加辉获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551666B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210098692.2，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片是由胡加辉;刘春杨;金从龙;顾伟设计研发完成，并于2022-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片在说明书摘要公布了：本发明提供一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片，LED外延片包括缓冲层，缓冲层由AlAlNNH3超晶格层和沉积于AlAlNNH3超晶格层上的AlAlNH2超晶格层组成，其中，AlAlNNH3超晶格层是由Al子层、AlN子层、NH3子层循环交替生长而成的周期性结构，AlAlNH2超晶格层是由Al子层、AlN子层、H2子层循环交替生长而成的周期性结构。由于AlAlNNH3超晶格层以三维模式生长，AlAlNH2超晶格层以二维模式生长，通过覆盖上述已生长的三维状AlAlN超晶格层，可以获得比较平坦的外延层，解决了现有紫外发光二极管中外延生长的晶体质量较差的问题。
本发明授权一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种LED外延片，其特征在于，包括缓冲层，所述缓冲层由AlAlNNH3超晶格层和AlAlNH2超晶格层组成，且所述AlAlNH2超晶格层沉积于所述AlAlNNH3超晶格层上； 其中，所述AlAlNNH3超晶格层是由Al子层、AlN子层、NH3子层循环交替生长而成的周期性结构，所述AlAlNH2超晶格层是由所述Al子层、所述AlN子层、H2子层循环交替生长而成的周期性结构； AlAlNNH3超晶格层以三维模式生长，AlAlNH2超晶格层以二维模式生长，AlAlNNH3超晶格层ⅤⅢ比的摩尔比范围为2000~4000之间，AlAlNH2超晶格层ⅤⅢ比的摩尔比范围为50~500之间。
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