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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551240B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011330970.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构的形成方法是由张海洋;苏博;肖杏宇设计研发完成，并于2020-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区，所述第一区上具有若干沿第一方向平行排布的第一鳍部；在所述衬底上形成若干伪栅结构，所述伪栅结构沿第二方向横跨于所述第一鳍部上，所述第一方向与所述第二方向垂直；在所述第一区上形成牺牲层，所述牺牲层内具有第一开口，所述第一开口暴露出位于相邻所述伪栅结构之间的第一鳍部；在所述伪栅结构两侧、以及所述第一开口暴露出的所述第一鳍部内形成第一源漏开口；在所述第一源漏开口和所述第一开口内形成第一源漏掺杂层。通过所述牺牲层提供阻挡，使得在第一源漏开口和所述第一开口内形成的各个所述第一源漏掺杂层的体积差异较小，进而提升最终形成的半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括第一区，所述第一区上具有若干沿第一方向平行排布的第一鳍部； 在所述衬底上形成若干伪栅结构，所述伪栅结构沿第二方向横跨于所述第一鳍部上，所述第一方向与所述第二方向垂直； 在所述第一区上形成牺牲层，所述牺牲层内具有第一开口，所述第一开口暴露出位于相邻所述伪栅结构之间的第一鳍部； 在所述伪栅结构两侧、以及所述第一开口暴露出的所述第一鳍部内形成第一源漏开口； 在所述第一源漏开口和所述第一开口内形成第一源漏掺杂层；其中， 所述牺牲层的形成方法包括：在所述第一区上形成初始牺牲层，所述初始牺牲层覆盖所述第一鳍部和位于所述第一区上的伪栅结构；在所述初始牺牲层上形成图形化层，所述图形化层暴露出部分所述初始牺牲层的顶部表面；以所述图形化层为掩膜刻蚀所述初始牺牲层，形成所述牺牲层；在形成所述牺牲层之后，去除所述图形化层； 所述牺牲层用于为采用外延生长工艺形成所述第一源漏掺杂层的过程提供阻挡，以减小在第一源漏开口和所述第一开口内形成的各个所述第一源漏掺杂层的体积差异。

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