北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所罗庆获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所申请的专利一种铪基铁电场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114520265B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210013629.4，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种铪基铁电场效应晶体管及其制备方法是由罗庆;彭学阳设计研发完成，并于2022-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种铪基铁电场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种铪基铁电场效应晶体管及其制备方法。一种铪基铁电场效应晶体管，包括硅衬底；以及设置在所述硅衬底上的栅极，所述栅极与硅衬底之间由界面层隔开，所述栅极的两侧分别设有源极、漏极；其中，所述界面层采用氮氧化铝，所述栅极包括由下至上堆叠的HZO层和氮化钛层。本发明解决了现有铁电晶体管耐久性差的问题，还增加HPA工艺降低陷阱密度和增强Pr。
本发明授权一种铪基铁电场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种铪基铁电场效应晶体管，其特征在于，包括硅衬底；以及设置在所述硅衬底上的栅极，所述栅极与硅衬底之间由界面层隔开，所述栅极的两侧分别设有源极、漏极； 其中，所述界面层采用氮氧化铝，所述栅极包括由下至上堆叠的HZO层和氮化钛层； 由下至上，所述氮化钛层包括第一氮化钛层和第二氮化钛层，其中第一氮化钛层采用ALD形成，第二氮化钛层采用溅射而成； 和或， 由下至上，所述氮化钛层包括第一氮化钛层和第二氮化钛层，第一氮化钛层的厚度为3nm～5nm，第二氮化钛层的厚度为80～100nm。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所，其通讯地址为：100176 北京市大兴区经济技术开发区科创十街18号京东贝科技园11号楼4层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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