中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司苏博获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496792B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011265509.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构的形成方法是由苏博;吴汉洙;施雪捷设计研发完成，并于2020-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区，以及位于所述第一区表面的第一鳍部；在所述衬底表面形成隔离预制层，所述隔离预制层还位于所述第一鳍部侧壁；刻蚀所述第一鳍部，在所述隔离预制层内形成多个开口，所述开口侧壁暴露出所述隔离预制层；在所述开口侧壁形成阻挡层；在所述开口内形成沟道层。由于所述沟道层是采用沟道层材料在开口底部生长形成的，不需要通过先形成沟道材料层而后刻蚀得到，因此沟道层的应力由材料生长决定，不会产生因后续刻蚀导致的应力释放的情况，维持了沟道层的应力，不影响对沟道层载流子的迁移率的提高，改善了器件的性能。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括第一区、以及位于所述第一区表面的第一鳍部； 在所述衬底表面形成隔离预制层，所述隔离预制层还位于所述第一鳍部侧壁，形成所述隔离预制层的工艺，采用不包括退火工艺的流体化学气相沉积工艺； 刻蚀所述第一鳍部，在所述隔离预制层内形成多个开口，所述开口侧壁暴露出所述隔离预制层； 在所述开口侧壁形成阻挡层； 在所述开口内形成沟道层，所述阻挡层用于阻挡沟道层材料在侧壁的生长；刻蚀所述隔离预制层，使所述沟道层顶部和部分侧壁暴露，形成初始隔离层，所述初始隔离层顶部低于所述沟道层顶部，且齐平于所述沟道层底部； 去除所述阻挡层； 对所述初始隔离层进行退火处理，以形成隔离层。
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