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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496791B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011257792.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构的形成方法是由苏博;姜长城;王文泰设计研发完成，并于2020-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底上具有若干伪栅极结构；在所述基底上形成初始介质层，所述初始介质层位于所述伪栅极结构侧壁表面；刻蚀所述初始介质层，形成介质层，且所述介质层顶部表面低于所述伪栅极结构顶部表面；去除所述伪栅极结构，在所述介质层内形成第一开口；在所述第一开口内和介质层表面形成栅极结构材料膜；平坦化所述栅极结构材料膜，直至暴露出介质层顶部表面，形成栅极结构。所述方法有利于提高形成的半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底上具有若干伪栅极结构； 在所述基底上形成初始介质层，所述初始介质层位于所述伪栅极结构侧壁表面； 通过远程等离子体化学刻蚀的方式刻蚀所述初始介质层，形成介质层，所述介质层的高度决定栅极结构的高度，且所述介质层顶部表面低于所述伪栅极结构顶部表面； 去除所述伪栅极结构，在所述介质层内形成第一开口； 在所述第一开口内和介质层表面形成栅极结构材料膜； 平坦化所述栅极结构材料膜，直至暴露出介质层顶部表面，形成栅极结构，平坦化所述栅极结构材料膜，直至暴露出介质层顶部表面的步骤中，通过抓取介质层材料作为平坦化工艺的停止信号； 所述形成方法还包括：形成所述介质层之后，去除所述伪栅极结构之前，在介质层表面形成牺牲结构，所述牺牲结构暴露出所述伪栅极结构顶部表面；在介质层表面形成牺牲结构的步骤包括：在所述伪栅极结构和介质层表面形成牺牲结构材料膜，所述牺牲结构材料膜包括：所述伪栅极结构和介质层表面的第一牺牲材料膜；所述第一牺牲材料膜表面的第二牺牲材料膜，所述第一牺牲材料膜的顶部表面高于伪栅极层顶部表面，且所述第一牺牲材料膜和第二牺牲材料膜的材料不同；进行磨平处理，直至暴露出所述伪栅极结构顶部表面，使所述牺牲结构材料膜形成牺牲结构； 去除所述伪栅极结构的步骤包括：去除所述伪栅极结构的过程中，去除所述牺牲结构，在相邻侧墙结构之间的介质层内形成凹槽； 在所述第一开口内和介质层表面形成栅极结构材料膜的步骤包括：在所述第一开口内、凹槽内和介质层表面形成栅极结构材料膜。

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