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龙图腾网获悉厦门乾照光电股份有限公司申请的专利一种外延结构、LED芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114464712B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210275391.2，技术领域涉及：H10H20/819；该发明授权一种外延结构、LED芯片及其制作方法是由林志伟;崔恒平;蔡玉梅;陈凯轩;蔡建九设计研发完成，并于2022-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种外延结构、LED芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种外延结构、LED芯片及其制作方法，其中外延结构包括：图形化的混合生长衬底、N型半导体层、有源区和P型半导体层；混合生长衬底包括蓝宝石衬底及设置在蓝宝石衬底上表面的多个凸起结构和缓冲层，凸起结构为易腐蚀性材料，且相邻凸起结构的底部相互紧挨，形成底部相连的凸起结构，部分凸起结构的底部边沿与蓝宝石衬底上表面的边沿部分重叠，再者缓冲层与蓝宝石衬底的接触面积远小于各所述凸起结构与蓝宝石衬底的接触面积，可使LED芯片能够采用湿法剥离的方法，高效、低成本的剥离蓝宝石衬底。

本发明授权一种外延结构、LED芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种外延结构，其特征在于，包括： 图形化的混合生长衬底，所述混合生长衬底包括蓝宝石衬底及设置在蓝宝石衬底上表面的多个凸起结构和缓冲层，所述凸起结构为易腐蚀性材料； 所述凸起结构为单层结构，相邻所述凸起结构的底部相互紧挨，形成底部相连的凸起结构，部分所述凸起结构的底部边沿与所述蓝宝石衬底上表面的边沿部分重叠，且所述凸起结构周期性镂空的凹槽露出所述蓝宝石衬底，并在裸露的所述蓝宝石衬底上表面设置所述缓冲层，所述缓冲层与各所述凸起结构的侧壁相连，但不覆盖各所述凸起结构，所述缓冲层与蓝宝石衬底的接触面积远小于各所述凸起结构与蓝宝石衬底的接触面积； 在所述混合生长衬底上设置GaN堆叠结构，所述GaN堆叠结构包括沿第一方向依次层叠的N型半导体层、有源区和P型半导体层，所述第一方向垂直于所述蓝宝石衬底，并由所述蓝宝石衬底指向所述P型半导体层，所述N型半导体层靠近所述凸起结构和所述缓冲层； 其中，所述混合生长衬底和所述GaN堆叠结构之间设有不掺杂的GaN层，且所述不掺杂的GaN层覆盖所述凸起结构和所述缓冲层，并与所述N型半导体层相连； 且，所述缓冲层的材料包括AlN、AlGaN、GaN其中一种或多种构成，且其为掺In、掺氧、掺Mg的化合物； 蓝宝石衬底上表面面积为S1，各凸起结构与蓝宝石衬底的接触面积为S2，缓冲层与蓝宝石衬底的接触面积为S3，其中，S1＞S2＞S3，且，S3与S1的比值范围在0至21.5之间。

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