桂林电子科技大学肖经获国家专利权
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龙图腾网获悉桂林电子科技大学申请的专利一种半导体器件故障检测方法及相关设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114355133B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111478391.4，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种半导体器件故障检测方法及相关设备是由肖经;朱新锋;黄青春;李志文;张俊宇;文迪;黄前龙设计研发完成，并于2021-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件故障检测方法及相关设备在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体检测领域，尤其涉及一种半导体器件故障检测方法及相关设备。其中，该方法包括：获取参考信号通过待测半导体器件后的反馈信号；根据所述反馈信号和所述参考信号确定所述待测半导体器件的电路反射系数；确定所述电路反射系数与目标电路反射系数之间的第一差值；如果所述第一差值大于第一阈值，则确定所述待测半导体器件已故障。本发明实施例中，通过测量计算出待测半导体器件的电路反射系数，并与正常半导体器件的目标电路反射系数进行比较，从而确定待测半导体器件是否为故障器件，从而可以在无须拆解半导体器件以及特定检测设备的情况下，采用在线测试的方式快速便捷的对半导体器件进行检测。
本发明授权一种半导体器件故障检测方法及相关设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件故障检测方法，其特征在于，包括： 获取参考信号通过待测半导体器件后的反馈信号； 根据所述反馈信号和所述参考信号确定所述待测半导体器件的电路反射系数； 确定所述电路反射系数与目标电路反射系数之间的第一差值； 如果所述第一差值大于第一阈值，则确定所述待测半导体器件已故障； 在确定所述待测半导体器件已故障之后，所述方法还包括： 根据所述电路反射系数确定所述待测半导体器件的输入反射参数；其中，所述输入反射参数为散射参数中的S11参数，根据公式S11=20lg|Г|将所述电路反射系数转换为所述S11参数，所述Г为所述电路反射系数； 将待测半导体器件的所述S11参数的波形与不同数量键合线断开时所对应的S11参数的波形进行对比，确定待测半导体器件中断开的键合线的数量； 其中，所述参考信号为单频点信号。
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