厦门市三安集成电路有限公司林育赐获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门市三安集成电路有限公司申请的专利一种横向场效应管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114335165B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111629255.0，技术领域涉及：H10D64/23；该发明授权一种横向场效应管及其制备方法是由林育赐;蔡文必;刘成;徐宁;叶念慈设计研发完成，并于2021-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种横向场效应管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种横向场效应管及其制备方法，涉及半导体技术领域，横向场效应管在无源区内设置的栅极焊盘和源极焊盘分别由器件功能层的第一表面延伸至衬底表面，其中，栅极焊盘自身分别与器件功能层和衬底绝缘隔离，源极焊盘与衬底短接，如此，使得栅极焊盘通过与衬底短接的源极焊盘形成电容结构，能够增大栅极焊盘和源极焊盘之间形成的器件的栅源电容C，从而有效的缓解所产生的振荡，降低功率器件的损耗，避免横向场效应管的误开启。
本发明授权一种横向场效应管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种横向场效应管，其特征在于，包括： 衬底； 器件功能层，所述器件功能层设置在所述衬底上，并具有远离所述衬底的第一表面； 所述横向场效应管设置有有源区和无源区，其中，所述无源区设置有栅极焊盘，所述栅极焊盘从所述第一表面延伸至所述衬底表面，所述栅极焊盘与所述衬底和所述器件功能层绝缘；所述无源区设置有源极焊盘，所述源极焊盘从第一表面延伸至所述衬底表面； 所述源极焊盘与所述衬底短接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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