美光科技公司林其松获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利非易失性存储器的多遍编程的粒度错误报告获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114258531B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-31发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201980099573.5,技术领域涉及:G06F11/08;该发明授权非易失性存储器的多遍编程的粒度错误报告是由林其松;V·P·拉亚普鲁;吴建刚;S·K·瑞特南;S·帕塔萨拉蒂;史绍春设计研发完成,并于2019-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本非易失性存储器的多遍编程的粒度错误报告在说明书摘要公布了:一种系统包含存储器组件,所述存储器组件用于在响应于多遍编程命令完成第二遍编程后,将标志位写入由所述多遍编程命令编程的一组存储器单元内。以操作方式耦合到所述存储器组件的处理装置用于与逻辑地址相关联地执行所述一组存储器单元的多遍编程。在接收到读取请求后,所述处理装置确定所述读取请求内的第二逻辑地址不匹配与存储在所述一组存储器单元的物理地址处的数据相关联的所述逻辑地址。所述处理装置进一步确定所述多个标志位内的第一值的数目,并且响应于第一值的所述数目不满足阈值标准,向主机计算装置报告不可校正数据错误。
本发明授权非易失性存储器的多遍编程的粒度错误报告在权利要求书中公布了:1.一种系统,包括: 存储器组件,所述存储器组件用于在响应于多遍编程命令完成第二遍编程后,将多个标志位写入由所述多遍编程命令编程的一组存储器单元内;以及 处理装置,其以操作方式耦合到所述存储器组件,所述处理装置用于进行以下操作: 与逻辑地址相关联地执行所述一组存储器单元的多遍编程; 在接收到读取请求后,确定所述读取请求内的第二逻辑地址不匹配与存储在所述一组存储器单元的物理地址处的数据相关联的所述逻辑地址; 确定所述多个标志位内的第一值的数目;以及 响应于第一值的所述数目不满足阈值标准,向主机计算装置报告由所述一组存储器单元的首页存储至少一些数据所致的不可校正数据错误。
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